2015-06-24
257
При Т=0 К и отсутствии других воздействий полупроводники ведут себя как диэлектрики. При повышении температуры электроны с верхних уровней валентной зоны м.б. переброшены на нижний уровень зоны проводимости. В результате этих перебросов в валентной зоне возникают вакантные состояния («дырки»). Количество электронов в зоне проводимости равно количеству дырок в валентной зоне.
Проводимость полупроводников всегда является возбуждаемой, т.е. появляется только под действием внешних факторов (температура, облучение). Энергия, при которой происходит возбуждение электронов и дырок, представляет собой энергию Ферми. В собственном проводнике она (энергия Ферми) находится в середине запретной зоны.
При перебросе электронов на нижний уровень зоны проводимости затрачивается энергия активации, равная ширине запретной зоны. Таким образом, энергия активации должна делиться пополам, т.к. при приобретении электрона проводимости появляется дырка.
Удельная проводимость собственных полупроводников:
Проводимость полупроводников растёт с температурой, т.к. с повышением температуры растёт число электронов, переброшенных в зону проводимости.
Билет №14.
