IС,mA обогащение
обеднение UЗИ=-1В
0 UСИ, В
IС,mA
UСИ=5В
обеднение обогащение
-UЗИ, В 0 +UЗИ, В
UОТС
Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное.
а) Пусть (поперечное поле отсутствует).
Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1).
б) Пусть
Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.
в) Пусть
Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения.
Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения.
|
|