Эффект p-n перехода в диодах
Общие сведения
Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n -проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p -проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
|
Экспериментальная часть
Задание
Снять вольтамперную характеристику полупроводникового диода в прямом и обратном направлениях.