2015-07-03
373
Температурная зависимость характеристик обусловлена главным образом зависимостью обратных токов эмиттерного и коллекторного p-n- переходов от температуры и в некоторой степени также температурной зависимостью коэффициентов диффузии и подвижности носителей заряда.
Схема с ОБ.
Входная характеристика в схеме с общей базой практически совпадает с характеристикой p-n- перехода и её можно согласно модели Эберса-Молла записать в виде
,
где тепловой ток 
пропорционален ni2 и экспоненционально растет с температурой, увеличиваясь в 2 раза при повышении температуры на D T= 5K для кремния и D T= 8K для германия (при 25оС). Соответственно, входные характеристики сдвигаются вверх и влево. При заданном токе эмиттера сдвиг составляет 1-2 мВ/K.
Выходная характеристика: 
. Поскольку ток IЭ задан, относительное приращение тока коллектора может быть записано в виде
В рабочем режиме IК >> IКБ0, поэтому
Коэффициент a слабо зависит от температуры, изменение тока коллектора в интервале D T= 100оС составляет лишь 3-5%.
|
|
|
Схема с ОЭ.
Ток базы имеет две противоположно направленные составляющие:
IБ = (1-a) IЭ – IКБ0, в рабочей области преобладает первая из них. Поэтому входные характеристики так же, как в схеме с общей базой, с повышением температуры сдвигаются вверх и влево.
Относительные изменения коэффициентов a и связаны соотношением:
Выходная характеристика: 
. Записав аналогично предыдущему относительные приращения при I Б=const, в рабочем режиме при IК >> IКЭ0 получаем
Температурная зависимость выходных характеристик в схеме с ОЭ в (b+1) раз больше, чем в схеме с ОБ.
