Мощность рассеяния, Вт | Рабочая частота, МГц | ||
До 3 | 3…30 | Более 30 | |
0,3 0,3…1,5 1,5 |
Четвертый и пятый символы – цифры (от 01 до 99), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ – буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.). Например маркировка КТ905А означает: кремниевый биполярный транзистор, мощность рассеяния более 1,5 Вт, рабочая частота выше 30 МГц, 5-я по порядку разработка, относится по своим параметрам к группе А.
В настоящее время вводится семисимвольная маркировка полупроводниковых приборов, которая отличается от существующей трехзначным номером разработки, соответствующим четвертому, пятому и шестому символам маркировки.
2. Практические занятия
2.1 Подключить катод выпрямительного диода к положительному выводу блока питания HY 5003.
2.2 Подключить к аноду выпрямительного диода положительный вывод мультиметра (красное гнездо - V, A, Ω).
2.3 Подключить к отрицательному выводу блока питания HY 5003 отрицательный вывод мультиметра (черное гнездо – СОМ).
|
|
2.4 Поставить переключатель рода работы мультиметра в положение 100 mA.
2.5 Выставить в крайнее левое положение (против часовой стрелки) ручки точной и грубой регулировок силы тока и напряжения лабораторного стабилизированного блока питания HY 5003.
2.6 Включить лабораторный стабилизированный блок питания HY 5003;
2.7 Выставить указанную преподавателем силу тока ручками «Грубо» и «Точно» в левой части лицевой панели блока питания.
2.8 С шагом, заданным преподавателем, выставлять требуемое напряжение ручками «Грубо» и «Точно» в правой части лицевой панели блока питания.
2.9 Записать показания индикатора вольтметра в правой части лицевой панели блока питания.
2.10 Записать показания силы тока на измерительной шкале мульитиметра, включенного в цепь.
2.11 Выполнить пункты 2.8 – 2.10 не менее 20 раз.
2.12 Отключить источник питания.
2.13 Подключить анод выпрямительного диода к положительному выводу блока питания HY 5003.
2.14 Подключить к катоду выпрямительного диода положительный вывод мультиметра (красное гнездо - V, A, Ω).
2.15 Выставить в крайнее левое положение (против часовой стрелки) ручки точной и грубой регулировок силы тока и напряжения лабораторного стабилизированного блока питания HY 5003.
2.16 Включить лабораторный стабилизированный блок питания HY 5003.
2.17 Выставить указанную преподавателем силу тока ручками «Грубо» и «Точно» в левой части лицевой панели блока питания.
2.18 Выполнить пункты 2.8 – 2.10 не менее 20 раз.
2.19 Отключить источник питания.
2.20 Отключить от схемы выпрямительный диод.
|
|
2.21 Выполнить пункты 2.1 – 2.20 для тиристора.
2.22 Выполнить пункты 2.1 – 2.20 для стабилитрона.
2.23 Отключить от схемы мультиметр.
2.24 Выбрать положение переключателя мультиметра в режим работы hFE.
2.25 Определить по справочнику (ПРИЛОЖЕНИЕ 1) тип транзистора (p-n-p или n-p-n) и расположение электродов (выводов) на корпусе (цоколевку).
2.26 Вставить выводы транзистора в соответствующие его типу и электродам гнезда прибора, предназначенные для измерения передаточного коэффициента hFE.
2.27 Измерить значение передаточного коэффициента hFE и записать результат.
2.28. Извлечь транзистор.
2.29 Выполнить пункты 2.26 – 2.29 для десяти различных транзисторов.
2.30 По результатам проведенных измерений (пункты 2.1 - 2.23) построить вольт-амперные характеристики диодов большой и средней мощности, тиристора и стабилитрона.
2.31 Для используемых в ходе выполнения пунктов 2.26 – 2.29 транзисторов составить таблицу, в которой указать наименование транзистора, его тип, материал изготовления кристалла, частоту работы, мощность и измеренное значение коэффициента hFE.
ПРИЛОЖЕНИЕ 1.
КТ603Б hFE>60 n-p-n КТ318Б hFE=25-100 n-p-n
КТ605Б hFE=30...120 n-p-n
КТ608Б hFE>3,5 n-p-n Б
Э
Б Э
К
КТ201А hFE=20...60 n-p-n
К
ГТ403Б hFE=50...150 p-n-p
К Э
Э Б
Б
КТ801Б hFE=20...100 n-p-n
К
2Т306Б hFE=40...120 n-p-n Б Э
Э К
К
Б
Д229Д U =300 I =0,4A I =0,2мА Д229Д UОБ=300 IПР=0,4А I0=0,2мА
Д815Б V =6,8 IСТ >1A
1Т308А hFE=20…75 p-n-p Д815Е V =15 I СТ =0,5A
К
Э Б К4202Н IЗ =10мА I0=10мА UПР =400 U0=400
1Е313Б hFE=20...250 p-n-p
К
Э Б
┴
КТ203А hFE>9 p-n-p
К Э
Б
Контрольные вопросы
1. Дайте определение полупроводникового диода.
2. Изобразить вольт - амперную характеристику полупроводникового диода и сделать ее анализ.
3. Перечислите основные параметры, характеризующие работу диоды.
4. Назвать типы диодов, применяемые в генераторах переменного тока
и предельную рабочую температуру.
5. Объяснить работу стабилитрона.
6. Изобразить вольт - амперную характеристику кремниевого стабилитрона.
7. Чем определяется напряжение стабилизации стабилитрона и в каких пределах находится его величина?
8. Дайте определение полупроводникового транзистора.
9. Назвать типы применяемых транзисторов и их графическое изображение.
10. Объяснить работу транзистора обоих типов.
11. Дайте определение транзистора.
12. Какие преимущества имеет тиристор перед другими приборами?
13. Классификация и маркировка полупроводниковых диодов и транзисторов.
ЛИТЕРАТУРА
1.Касаткин А.С. Электротехника: Учеб. для вузов/ А.С. Касаткин, М.В.Ю Немцов. – 7-е изд., стер. – М.: Высш. шк., 2003. – 542 с.
2.Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. – Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2001. – 448 с.
3.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов. Под ред. О.П. Глудкина. – М.: Горячая линия – Телеком, 2003. -768 с.
4.Трофимова Т.И. Курс физики: Учеб пособие для вузов. – 7-е изд., стер. – М.: Высш. Шк., 2001. – 542 с.: ил.