Исследование свойств кремниевого электронно-дырочного перехода (Si)

Исследование свойств кремниевого электронно-дырочного перехода проводится аналогично исследованиям свойств германиевого электронно-дырочного перехода (см. п. 1.1).

Данные измерений занесите в таблицу и постройте графики прямой ветви вольтамперной характеристики кремниевого электронно-дырочного перехода для 270С, 750С и 1250С.

Кремниевый p-n -переход
Iпр, мА                    
Uпр, мВ                    

Указания к отчёту

Отчёт должен содержать:

1. Титульный лист, содержащий наименование учебного заведения, наименование кафедры, название работы и дисциплины, ф.и.о. студента и номер группы.

2. Цель работы.

3. Ход работы:

схемы измерений,

таблицы экспериментальных данных,

графики вольт-амперных характеристик германиего и кремниего электронно-дырочных переходов.

Графики прямой ветви вольтамперной характеристики германиевого и кремниевого электронно-дырочных переходов должны быть выполнены на одном листе миллиметровой бумаги форматом А4.

4. Выводы по проделанной работе.

Вопросы для самоконтроля

1. Как возникает р-n -переход при идеальном контакте полупроводников с разным типом электропроводности?

2. Нарисовать схему и объяснить способ снятия вольт-амперных характеристик германиего и кремниего электронно-дырочных переходов с помощью амперметра и вольтметра.

3. Объяснить работу р-n -перехода при прямом включении.

4. Объяснить работу р-n -перехода при обратном включении.

5. Записать уравнение ВАХ идеализированного электронно-дырочного перехода.

6. Объяснить механизм влияния температуры на величину прямого тока p-n -перехода.

7. Объяснить, почему влияние температуры проявляется сильнее в германиевых p-n -переходах, нежели в кремниевых.

Список литературы

1. Гуртов В.А.

Твердотельная электроника: учеб. пособие для вузов/Гуртов В.А. - 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2007. - 406 с.

2. Пасынков В.В.

Материалы электронной техники: учебник для вузов/В.В. Пасынков. В.С. Сорокин. - Изд. 5-е, стер. - СПб.: Лань, 2003. - 368 с.

3. Степаненко И.П.

Основы микроэлектроники: (учеб. пособие для вузов)/И.П. Степаненко. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М.: Лаб. Базовых Знаний, 2004. - 488 с.

4. Пасынков В.В.

Полупроводниковые приборы: учебник для вузов/Пасынков В.В., Чиркин Л.К. - 7-е изд., испр. - СПб.: Лань, 2003. - 480 с.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: