Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)

Определим параметры транзисторов:

2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формулы.

Входной характеристики нет. (2.8)

(2.8а)

где параметры режима насыщения U_БЭнас, указываются в справочнике.

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.8) и (2.8а).

С_КА – активная (внутренняя) часть емкости коллекторного перехода из справочника, если этот параметр не приведен, то определяем по формуле:

(2.13) (2.13а)

где С_К = С_КА + С_КП,

С_К – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.

2Т950А:

С_К[пФ]=150

С_КП – пассивная (внешняя) часть емкости коллекторного перехода,

ζ – зависит от технологии изготовления транзистора, данные приведены в табл.3.

Сопротивление рекомбинации:

, (2.15)

(2.15а)

h_21э из ф.(1.13).

S_П – крутизна по эмиттерному переходу /5/:

2Т950А:

I_K1 – ток первой гармоники коллекторного тока

(2.17)

α₁(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θ_НЧ ~ ()

Таблица 4.

θ	70◦	75◦	80◦	85◦	90◦	95◦	100◦	105◦	110◦	115◦	120◦	125◦	130◦
α0	0,253	0,269	0,286	0,302	0,319	0,334	0,35	0,364	0,379	0,392	0,406	0,419	0,431
α1	0,436	0,455	0,472	0,487	0,5	0,51	0,52	0,526	0,531	0,534	0,536	0,536	0,534
γ0	0,166	0,199	0,236	0,276	0,319	0,363	0,411	0,458	0,509	0,558	0,609	0,659	0,708
γ1	0,288	0,337	0,39	0,445	0,5	0,554	0,611	0,662	0,713	0,76	0,805	0,843	0,878

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).

t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=160⁰С, если в справочнике не указана, то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора.

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

(2.18)

2Т950А:

r_э[Ом] = 0.15

из справочника, приложения П.1

(2.19)

(2.19а)

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).

2.3.3. Емкость эмиттерного перехода С_Э определяется:

Т950А

Из справочника, П.1: С_Э=1100пФ.

2.3.4. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L ~ (1…1,5) [ ] ∙ l [мм], (2.21)

где l – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

Из справочника известно:

2Т950А:

L_Б =2.3 нГн

L_Э =2.1нГн