Выбор метода обеспечения рабочего режима работы транзистора тесно связан с задачей температурной стабилизации усилительного каскада в целом. Это обусловлено тем, что изменение температуры вызывает изменение параметров транзистора, что в свою очередь приводит к изменению его характеристик.
На рис. 5 показаны выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ, снятые при двух значениях температур окружающей среды (пунктирными линиями показаны характеристики транзистора при более высоких температурах). Из рисунка видно, что температурный характер воздействия приводит к изменению положения рабочей точки (точка р') относительно ее первоначального положения (точка р), а следовательно, к изменению режима работы транзистора (U0к, I0к).Иногда повышение температуры может вывести рабочую точку за пределы линейного участка, и нормальная работа усилителя нарушится.
Смещение статических характеристик указывает на изменение коллекторного (выходного) тока транзистора Iк, приращения которого обусловлены главным образом увеличением обратного тока коллекторного перехода (количество неосновных носителей заряда возрастает) Iкэ0 и коэффициента передачи тока транзистора h21б (или h21э) с ростом температуры.
|
|
Для улучшения температурной стабильности транзисторных усилительных каскадов используют обратные связи по постоянному току, которые снижают действие дестабилизирующих температурных факторов. Рассмотрим основные схемы стабилизации положения рабочей точки с учетом того, что входной переменный сигнал отсутствует, а токи Iк, Iб и напряжения Uкэ, Uбэ представляют собой постоянные токи и напряжения в транзисторе.
1 .Схема с коллекторной стабилизацией
На рис. 6, а показана схема с отрицательной обратной связью по постоянному напряжению (схема с коллекторной температурной стабилизацией). Ее отличие от схемы рис. 4, а состоит в том, что резистор R6 подключен к коллектору транзистора с напряжением Uкэ = Uoк, а не к источнику питания Ек. Поэтому уравнение для определения сопротивления Rб в этом случае записывают в виде
Rб ≈ Uок/Rоб.
Физический смысл коллекторной температурной стабилизации заключается в следующем. При увеличении тока Iк (от значения I0к) (рис. 5) падение напряжения на резисторе Rк возрастает. При этом приращение отрицательного потенциала на коллекторе через резистор поступает на базу транзистора, смещая эмиттерный переход в обратном направлении. В результате уменьшается ток базы Iб, а, следовательно, ток коллектора Iк. При этом U0к и Iок получают приращения, меньшие, чем при отсутствии отрицательной обратной связи.