2015-10-22
326
1. Типовим напівпровідником є германій. Чотири валентні електрони кожного атома вступають у ковалентні зв’язки з електронами сусідніх атомів, так що вільних електронів у чистому германії при дуже низьких температурах немає.
2. При підвищенні температури кристалу внаслідок теплових коливань решітки відбувається розривання деяких валентних зв’язків. Наслідком чого стає поява електронів провідності і вакантних місць – дірок.
3. За наявності електричного поля електрони провідності переміщуються проти поля і утворюють електричний струм, який називають електронним. Дірки поводять себе як позитивно заряджені частинки і при наявності електричного поля переміщуються в напрямку поля, утворюючи електричний струм, який називають дірковим.
4. Електропровідність, обумовлену переміщенням дірок, називають дірковою провідністю. В процесі діркової провідності беруть участь електрони зв’язку (не провідності), які переміщуються від дірки до дірки проти поля.
5. У хімічно чистих напівпровідниках електропровідність обумовлена однаковою кількістю електронів провідності і дірок та має назву власної електропровідності.
|
|
|
6. Домішки можуть збільшувати концентрацію електронів провідності і створювати у напівпровіднику електронну домішкову провідність n-типу. Такі домішки називаються донорними.
У провідності n-типу основними носіями струму є електрони провідності, а дірки – не основними.
7. Домішки, які захоплюють електрони від сусідніх атомів і викликають появу дірок, називають акцепторними. У даному випадку тип провідності називається провідністю р-типу, а напівпровідники з такою провідністю – дірковими, або напівпровідниками р-типу.
У провідності р-типу основними носіями струму є дірки, не основними – електрони.
