Експериментальна частина

Попередня підготовка до експерименту

1.Вивчити основні теоретичні положення з теми лабораорної роботи та дати письмові відповіді на контрольні запитиння, поміщені в кінці лабораторної роботи.

2.Записати в табл. 2.1 типи біполярних транзисторів, які будуть досліджуватись. Накреслити в зошиті екпериментальні схеми та заготувати таблиці, необхідні для занесення результатів вимірювань.

Таблиця 2.1

Типи досліджуваних транзисторів

3.Користуючись довідником з напівпровідникових приладів, накреслити типовий вигляд ВАХ досліджуваних транзисторів та переписати у табл. 2.2 їх допустимі експлуатаційні параметри. Накреслити вид цоколя кожного з транзисторів і на кресленні вказати розміщення його виводів.

Таблиця 2.2

Допустимі експлуатаційні параметри транзисторів

Послідовність проведення експериментів

Завдання 1. Провести дослідження режимів роботи біполярного транзистора. Для цього:

1). Зібрати схему експерименту, показану на рис. 2.10, використовуючи в ній регульовані джерела постійної напруги U₁ і U₂, вольтметри постійного струму V₁ і V₂ та амперметри A₁ і А₂. Полярності напруг між виводами транзистора встановити в залежності від типу його електропровідності (див. рис. 2.2);

Рис. 2.10. Схема експериментального дослідження біполярного

транзистора типу npn

2). Провести вимірювання струмів I_Б та I_К при різних режимах роботи транзистора, а саме в режимі відтину та в нормальному активному режимі. Результати вимірювань записати в табл. 2.3 та зробити висновки. (Значення напруг між виводами транзистора, які необхідно виставляти при вимірюваннях, вибрати в залежності від типу електропровідності та напівпровідникового матеріалу).

Таблиця 2.3