Вывести выражение для полного коллекторного тока транзистора

Схема включения транзисторов

Входные характеристики биполярных транзисторов и их анализ

Типы транзисторов и их особенности.

От чего зависит коэффициент передачи токов биполярных транзисторов

Выходные характеристики транзистора имеют вид

Эти рассуждения относятся для транзисторов со встроенным каналом между областями П. (рис.1.23,а).

Возможны варианты транзисторов, когда канал отсутствует. Такие транзисторы называются транзисторами с индуцированным каналом и могут работать только в режиме обогащения. ( рис.1.23,б ). Условные обозначения таких транзисторов имеют вид

Токи транзистора связаны законом Кирхгофа.

коэффициент передачи тока по эмиттеру.

Коллекторный ток является выходным в транзисторе, а ток базы входным, таким образом, важно получить связь между входом и выходом.

→

Транзистор – трехслойный ППЭ имеющий 3 вывода во внешнюю цепь: эмиттер, база, коллектор.

В транзисторах при отсутствии внешних воздействий потоки основных и не основных зарядов уравновешены, т.е. результирующий поток равен нулю. В зависимости от чередования слоев транзисторы могут быть:

К К

Б Б

Э

Э

П-Р-П Р-П-Р

При этом необходимо отметить, что принцип работы обеих видов одинаков, особенности только в потоках основных зарядов.

Особенности изготовления:

-Толщина базы, т.е. расстояние между эмиттером и коллектором должна быть меньше длины свободного пробега электронов.

-Концентрация примесей в эмиттере должна быть больше, чем в базе.

Входная характеристика. I_b=ƒ (U_bэ) при U _kэ= соnst

На графике показаны две характеристики.В характеристике (U_kэ=0) оба перехода

(К-Б, Э-Б) работают в базу там суммируются. Таким образом, характеристика транзистора представляет собой две характеристики диодов, включенных параллельно

В (U_кэ>>U _кэн) на коллекторном переходе произойдет смещение напряжения в обратном направлении, а на эмиттерном переходе вся по-прежнему. В этом случае характеристика транзистора будет представлять собой сумму двух, но сдвинутых на величину I_kbo

Это определяется схемами соединения и таких схем может быть три. Различаются они тем, какой электрод транзистора является общим для входа и выхода. По этому признаку схемы могут быть:

-с общим эмиттером (ОЭ).

- с общей базой (ОБ).

-с общим коллектором (ОК).

Токи транзистора связаны законом Кирхгофа.

коэффициент передачи тока по эмиттеру.

Коллекторный ток является выходным в транзисторе, а ток базы входным, таким образом, важно получить связь между входом и выходом.

→

Это выражение не учитывает поток не основных носителей зарядов, т.к. этот поток существует и идет из коллектора в базу, формируя обратный или тепловой ток.

Если его учитывать, то получим:

I_k=αIэ +I_кбо

Однако в справочниках дается не коэффициент передачи тока базы, а статический коэффициент усиления h₂₁^*

Таким образом, при выборе транзистора можно пользоваться выражением

I_k=h₂₁^*I_b