Тракт приема ЧМ сигнала

Тракт приема ЧМ сигнала включает в себя следующие каскады: унифицированный УКВ-блок на транзисторах V1, V2; четырехкаскадный УПЧ на транзисторах V1-V4; симметричный дробный детектор на диодах V14 и V15; УЗЧ на транзисторах V10-V17.

Блок УКВ имеет автоматическую подстройку частоты (АПЧ), повышенную помехозащищенность и значительно сниженный уровень паразитного излучения гетеродина. Блок представляет собой законченный функциональный узел, состоящий из двух каскадов: УРС, собранного на транзисторе V1, и гетеродинного преобразователя частоты на транзисторе V2.

Сигнал с телескопической антенны W2 через конденсатор связи С65 поступает на катушку связи L1 и далее - во входной контур L2, C1, C2 с полосой пропускания МГц и постоянной частотой настройки МГц. Связь входного контура с транзистором V1 - внутренняя емкостная. Включение транзистора УРС (V1) по схеме с общей базой позволяет получить устойчивое усиление в диапазоне УКВ. В цепи коллектора включен одиночный резонансный контур L3, C4, C6, C7 с автотрансформаторным включением. Настройка его на принимаемою частоту сопряжена с настройкой контура гетеродина и осуществляется двухсекционным блоком конденсаторов переменной емкости (КПЕ). Связь контура с преобразователем осуществляется через конденсатор С8 малой величины. Для уменьшения перегрузок каскадов и расстройки гетеродина при больших входных сигналах параллельно контуру УРС подключен ограничивающий диод V1, к которому приложено запирающее напряжение от стабилизатора. На транзисторе V2 по схеме с общей базой собран гетеродинный преобразователь частоты. Частота настройки гетеродина определяется в основном параметрами контура L4, C7, C16, C17. Для ослабления влияния коллекторной цепи смесителя на гетеродинный контур последний имеет автотрансформаторную связь с коллектором V2 через конденсатор С14, являющийся одновременно емкостью первичного контура УПЧ. Напряжение гетеродина через конденсатор С13 подается на эмиттер преобразователя. Дроссель L4 и конденсатор С9 создают баланс фаз, необходимый для возникновения генерации. Нагрузкой преобразователя является полосовой фильтр, состоящий из двух связанных контуров (L5, C14 и L6, C18). Связь с трактом ПЧ - трансформаторная (L7). Для АПЧ используется варикап V2, подключенный к контуру гетеродина через конденсатор С19 и С20. Управляющее напряжение на варикап подается с дробного детектора через резистор R90. Это напряжение воздействует на варикап так, что разность частот гетеродина и принимаемого сигнала приближается к номинальному значению промежуточной частоты за счет того, что меняется емкость варикапа при изменении запирающего напряжения. Питание базовых и коллекторных цепей транзисторов УКВ-блока и начальное смещение диодов V1 и V2 осуществляется стабилизированным напряжением от общего стабилизатора. Для уменьшения паразитного излучения и воздействия внешних помех блок УКВ тщательно экранирован. Усилитель сигналов промежуточной частоты состоит из четырех каскадов и собран на транзисторах V1-V4. Нагрузкой всех четырех транзисторов УПЧ тракта ЧМ является двухконтурные полосовые фильтры с комбинированной трансформаторной и внешнеемкостной связью. Связь фильтров с коллектором предыдущего и базой последующего транзисторов ослаблена: напряжение подается и снимается части витков контурных катушек.

Детектор ЧМ сигнала собран на диодах V14 и V15 по схеме симметричного дробного детектора. Эта схема обладает малой чувствительностью к быстрым изменениям амплитуды сигнала на входе детектора, что позволяет отказаться от амплитудных ограничителей. Напряжение с выхода детектора, пропорциональное девиации частоты входного сигнала, через фильтр R56, С142 поступает на вход УЗЧ.

АРУ в тракте ЧМ осуществляется так же, как и в тракте АМ.

Усилитель сигналов звуковой частоты собран по бестрансформаторной схеме и состоит из четырех основных каскадов: входного каскада (V10, V11), предварительного усиления (V12, V13), фазоинвертора (V14, V15) и выходного каскада (V16, V17). Входной каскад выполнен на двух транзисторах V10 и V11 по схеме с общим эмиттером и гальванической связью между транзистором.