Статические потери в транзисторном ключе - это потери в установившемся включенном (замкнутом) и выключенном разомкнутом состояниях ключа

P _ст.= P _зам.+ P _раз.

Потери во включенном состоянии складываются из потерь в цепях управления и потерь в силовой цепи транзистора P _зам.= P _упр.+ P _сил.. В ключе на биполярном транзисторе присутствует обе составляющие потерь. В ключе на полевом транзисторе основными являются потери в силовой цепи транзистора. Потери в выключенном состоянии - минимальные потери в запертом состоянии для ключа на биполярном транзисторе соответствуют режиму глубокой отсечки P _раз.min = I _ко(Е _упр. + U _п). Для ключа на полевом транзисторе потери в разомкнутом состоянии определяются потерями в силовой цепи P_раз.» I _кл.зап. U _п. (Транзистор считается включенным (запертым, разомкнутым), если I _кл.зап<0,1 I _н).

Динамические потери в транзисторном ключе определяются потерями в его силовой части и поэтому не зависят от типа используемого транзистора. Основными определяющими факторами являются длительность фронта и среза импульса коллекторного перехода (стокового) тока транзистора и тип нагрузки - активной и активно – индуктивной.