Продемонстрируем изложенное на примере синтеза низкочувствительного звена полосового типа с собственной компенсацией. Известно, что для создания канонической схемы с низкой поэлементной чувствительностью необходимо использовать симметричную RC-цепь и ОУ (рис. 8).
Рис. 8. Низкочувствительное звено полосового типа
с симметричной RC-цепью
Анализ RC-подсхемы приводит к следующим результатам:
; (78)
Из соотношений (5) и (9) следует, что
; (79)
; (80)
(81)
поэтому приращение знаменателя передаточной функции В(р) определится следующим соотношением:
(82)
Используя метод малого параметра, позволяющий перейти к аппроксимирующему полиному, можно получить относительные изменения основных параметров анализируемой схемы
. (83)
Для оптимального соотношения [3]
. (84)
|
|
Следовательно, при реализации высокой добротности наблюдается не только большое изменение основных параметров, но и, как это видно из (30), увеличение собственного шума схемы:
. (85)
Для уменьшения влияния параметров ОУ на качественные показатели устройства применим принцип собственной компенсации. Из (30) и соотношений табл. 2 следует, что для решения поставленной задачи необходимо, чтобы в контуре дополнительной обратной связи реализовывалась функция:
. (86)
Таким образом (функционально-топологические правила табл. 2), решение задачи сводится к подключению дополнительного масштабного усилителя-сумматора между инвертирующим входом ОУ и дополнительным входом схемы, которое позволяет реализовать на выходе основного активного элемента передаточную функцию звена полосового типа. При этом, как видно из (82), в силу отсутствия сдвига между частотой полюса звена и собственной частотой пассивной цепи в конечной реализации при соответствующем выборе может наблюдаться полная компенсация влияния основного ОУ вблизи частоты полюса. Соответствующая схема показана на рис. 9.
Рис. 9. Низкочувствительное звено полосового типа
с собственной компенсацией
Из соотношения (81) с учетом коэффициента передачи неинвертирующего масштабного усилителя следует, что
, (87)
где .
Введение в схему дополнительного ОУ2 приводит к изменению структуры полинома . Как это следует из (7)–(9),
. (88)
Поэтому
(89)
|
|
Следовательно, при аналогичных условиях
, (90)
. (91)
Из приведенных соотношений могут быть получены условия не только собственной, но и взаимной компенсации влияния инерционных свойств активных элементов как на частоту полюса, так и на затухание:
; (92)
, (93)
которые при большой добротности совпадают. Тогда
. (94)
Поэтому собственный шум схемы, определяемый активными элементами, остается неизменным:
. (95)
Проведем сравнение полученного устройства с звеном Antonio (рис. 10), которое, по утверждению многих специалистов, является наилучшим из существующих с двумя ОУ [1].
Рис. 10. Низкочувствительное звено Antonio полосового типа
Здесь передаточная функция (79) имеет следующие параметры:
, (96)
Влияние площади усиления ОУ на основные параметры звена определяется следующими соотношениями:
(97)
(98)
(99)
Составляющие приведенных соотношений сгруппированы для наглядности принципа взаимной компенсации. Из анализа составляющих можно сделать вывод, что наилучшим сочетанием параметров являются условия
. (100)
Тогда
(101)
Однако даже в этом случае чувствительность этих параметров к площади усиления ОУ остается значительно выше, чем в схеме рис. 9. Действительно,
; (102)
(103)
, (104)
а в схеме звена с собственной компенсацией
(105)
; (106)
. (107)
Таким образом, стабильность параметров синтезированной схемы значительно выше, чем в структуре Antonio, которая считалась наилучшим схемотехническим решением.
Здесь
, (108)
и, следовательно, собственный шум схемы оказывается ниже. С учетом оценки (30) выигрыш звена Antonio по этому показателю составляет , однако при построении конкретных фильтров в качестве компенсирующего активного элемента в синтезируемой схеме можно использовать малошумящие видеоусилители и получить более высокие качественные показатели по всем параметрам [5].
Рассмотренный пример подтверждает основной тезис общей постановки задачи – новые целенаправленно созданные структуры электронных схем создают дополнительные параметрические степени свободы, которые при рациональном их использовании (например, параметрической оптимизации) позволяют создавать устройства с более высокими качественными показателями, а также уменьшать требования к технологическим нормам производства активных компонентов.