2020-01-14
151
Входные токи смещения хорошо спроектированного ОУ имеют близкие друг другу значения. Это фактически является необходимым условием для подавления их влияния путем балансировки резисторов операционной схемы. Согласованию входных токов смещения способствуют симметричная структура входного каскада и малый относительный технологический разброс. Со статистической точки зрения любое увеличение числа критичных компонентов может лишь ухудшить это согласование. Хотя входные токи смещения и уменьшаются, однако их разброс (входной ток сдвига) увеличивается. Для такого ОУ с внутренним смещением в документации приводятся обычно одинаковые значения как для входных токов смещения, так и для тока сдвига.
 |
а) б)
Рис.15
 |
в) г)
Рис.15
На рис.15 сведены воедино примеры схем, обеспечивающих внутреннее смещение. Все они основаны на согласовании коэффициентов усиления по току входных транзисторов и опорных транзисторов схемы смещения, и поэтому реализовать их можно лишь в монолитной форме. Для устранения влияния синфазного входного (напряжения на коэффициент усиления транзистора по току обычно используется конфигурация со следящей ОС. Эта следящая обратная связь на рис.15 не показана.
|
|
|
На рис.15,а ток базы входного npn-транзистора VT1 компенсируется базовым током pnp-транзистора VT7. Согласование обоих токов гарантируется наличием контура ОС, замкнутого через транзисторы VT3 и VT5. Аналогичная компенсация токов осуществляется в правой половине схемы. Для данного метода достаточно согласования усиления по току между транзисторами одного типа проводимости.
Схема на рис.15,б одна обеспечивает смещение обоим входным транзисторам VT1, VT2 и отслеживает общий коллекторный ток последних. Компенсацию обеспечивает контур ОС, охватывающий трехколлекторный боковой транзистор VT4 через опорный транзистор VT3 и диод VD. Другие схемы включения вспомогательных контуров ОС показаны на рис.15,в и 15,г.
