Обоснование выбора и описание элементной базы проектируемого устройства

Транзисторы.

КТ315Г.

Предназначены для работы в схемах усилителей высокой промежуточной и низкой частоты.

Выпускаются в пластмассовом корпусе. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,18 г.

Электрические параметры.

Граничное напряжение при Iэ=5 мА не менее	25В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=20 мА	0,4В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=20 мА	1,1.В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1мА	50-350
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб=10В, Iэ=5мА не более:	500нс
Модуль коэффициента и передачи тока при Uкэ=10В, Iк=1мА f=100Мгц не менее:	2.5
Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В не более:	7пФ
Входное сопротивление при Uкэ=10В Iк=1мА не менее:	40Ом
Выходная проводимость при Uкэ=10В Iк=1мА не более:	0.3мкСм
Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более:	1мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм Uкэ=Uкэ макс не более:	1мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В не более:	30мкА

 

Предельные эксплуатационные параметры

 

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм	35
Постоянное напряжение база-эмиттер.	6
Постоянный ток коллектора.	100мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298К	150мВт
Температура перехода	393К
Температура окружающей среды.	От 213 до 373К

.

КТ361Г

Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные.

Масса транзистора не более 0,3г.

 

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=10В, Iэ=1мА при Т=298К	50-350
Модуль коэффициента и передачи тока при Uкэ=10В, Iэ=5мА f=100Мгц не менее:	500пс
Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В f=10МГц не более:	7пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10В, Iэ=5мА f=5 МГц не более:	500пс
Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более:	1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм Uкэ=Uкэ макс не более:	1 мкА

 

КТ805АМ

Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24г. В пластмассовом не более 2,5г.

 

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=5 А	2,5в
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=5 А Iб=0,5А	2,5в
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=2 А при Т=298К	15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1 А	60 Мгц
Импульсный обратный ток коллектора при Rбэ=10 Ом при Т=298К и373К не более	60 мА
Обратный ток эмиттера при Uэб=5В не более:	100мА

 

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при	160В
Постоянное напряжение эмиттер база	5В
Постоянный ток коллектора	5А
Импульсный ток коллектора при	8А
Постоянный ток базы	2А
Импульсный ток базы	2,5А
Средняя рассеиваемая мощность	30Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	3,3К\Вт
Температура перехода	423К
Температура окружающей среды.	373К

 

КТ815В

Транзисторы кремневые меза-эпитаксиально-планарные низкочастотные мощные.

Масса транзистора не более 1г.

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=0,5 А Iб=0,05 А	0,6Вт
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=0,5 А Iб=0,05А	1,2В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=2В, Iк=0,15 А при Т=298К	40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5В, Iэ=0,03 А не менее	3Мгц
Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0,5В не более:	75пФ
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при Uкэ=5В Iк=0,15 мА f=800Гц не менее	800Ом

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10 Ом	70В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер	60В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213-373К	5В
Импульсный ток коллектора при	3А
Постоянный ток базы при Тк=233-373К	0,5А

 

КТ603Б

Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные n-p-n импульсные высокочастотные маломощные.

Предназначены для применения в импульсных и переключательных высокочастотных схемах.

Масса транзистора не более 1,75 г.

 

Электрические параметры.

Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В Iэ=30 мА не менее	200 Мгц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=150 мА Iб=15 мА	0,8В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=150 мА Iб=15мА	1В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=2В, при Т=298К при Iэ=150мА	60
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ=10В, Iэ=30мА f=5 Мгц не более:	400пс
Емкость коллекторного перехода при Uкэ=10В не более:	15пФ
Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более	3мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В не более:	3мкА

Предельные эксплуатационные данные.

 

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм	30В
Напряжение эмиттер-база	3В
Постоянный ток коллектора	300мА
Постоянная рассеиваемая мощность	0,12В
Температура перехода.	423К
Общее тепловое сопротивление.	200К/Вт
Температура окружающей среды.	От 213-398К

 

Светодиод АЛ307 ГМ

Светоизлучающие диоды с рассеянным излучением. Изготавливаются из эпитаксиальных структур на основе фосфида галлия. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Масса не более 0,35гр.

 

Электрические и световые параметры.

Сила света	1,5мкд
Прямое постоянное напряжение	2,8В
Цвет свечения	Зеленый
Прямой постоянный ток	20мА

 

Резистор МЛТ-0,125

Резистор непроволочный. Номинальная мощность 0,125Вт при температуре +70. С

Оптопара АОД101А

Оптопара диодная. Излучатель диод арсенид галивый приемник-кремневый фотодиод (излучатель оптопары).

Масса не более 1,1г.

Электрические параметры.

Входное напряжение при Iвх=10мА не более	1,5В
Коэффициент передачи по току при Iвх=10мА не менее	1%
Время нарастания и спада вых импульса при Iвх=20мА не более	100нс
Выходной обратный ламповый ток, не более	2мкА
Сопротивление изоляции не менее	10 Ом
Предельные эксплуатационные данные.λΣ
Входной постоянный ток	20мА
Входной импульсный ток при =100мкс	100мА
Входное обратное напряжение	3,5В
Выходное обратное напряжение	15В
Выходное обратное импульсное напряжение	20В
Напряжение изоляции	100В
Пиковое напряжение изоляции при =10мс	200В

 

Конденсаторы.

Конденсатор К50-16-50V-2000мF-И

 

Электрические параметры.

Номинальное напряжение.	50В
Дополнительное амплитудное напряжение составляющее по частоте.	2…50%
Диапазон номинальных емкостей.	2…500мкФ
Допуск % ряд (промежуточных емкостей)	-20…+80 (ряд Е6)
Габаритные размеры.
Диаметр	4…21мм

Длина

13…45мм

 

К10-7В-М1500-560рF±10%

 

Электрические параметры.

Номинальное напряжение.	50В
Группа ТКЕ	М1500
Диапазон номинальных емкостей.	68…1000
Допуск % ряд (промежуточных емкостей)	±5±10±20 (ряд Е24)
Габаритные размеры.
Диаметр	4…14мм
Длинна	4…14мм
Высота	3,5…4,5мм

 

Тиристор КУ202Е.

 

Электрические параметры.

Ток ос средний max	10А
Ток ос прямой	30А
Uзс п. (Uзс)	100В
Uобр.	100В
Uос	1,5В
Iос	10А
Iзс	10мА

 

Диод.

КД209Б

 

Электрические параметры.

Ток средний прямой	0,5А
Uобр. (Uобр.max)	600В
Uпр.(Uпр, Uпр. ср)	1В
Ток прямой и (Iпр. Iпр. ср.)	0,5А
Ток обратный и (Iобр. Iобр. ср.)	0,1мА
Масса	6Г