Классификация и обозначение транзисторов, правила монтажа и эксплуатации

Транзисторы представляют собой полупроводниковые прибо­ры с двумя или более р— «-переходами, позволяющие усиливать электрические сигналы и имеющие три и более выводов.

Транзисторы подразделяются на биполярные и униполярные {по­левые)

Биполярные транзисторы имеют трехслойную структуру с че­редующимися типами электропроводности. Различают также пря­мые (р—п—р) и обратные (п—р—п) транзисторы (рис. 2.34). Каж­дый слой имеет вывод: эмиттер Э, базу (или основание) Б и кол­лектор К. Переход между базой и эмиттером называется эмиттер-ным, а между базой и коллектором — коллекторным.

Б - база.

К - коллектор.

Э - эмиттер.

В свою очередь, биполярные транзисторы классифицируются по:

- материалу, из которого они сделаны - германий (Gе), кремний (Si), арсенид галлия (GаАs) и др.,;

- способу изготовления;

- мощности и частоте

Транзисторы предназначены для генерации, усиления и пре­образования электрических сигналов. В импульсных схемах они ра­ботают в режиме «ключа», когда транзистор может находиться только в двух состояниях: включенном (открытом), либо выклю­ченном (закрытом). Переход из одного состояния в другое проис­ходит очень быстро, что отвечает основным требованиям боль­шого быстродействия.

В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами.

Полевые транзисторы в общем случае можно разделить на:

· транзисторы с управляющим p-n-переходом;

· транзисторы с изолированным затвором.

И те и другие могут быть n-канальными и p-канальными, к затвору первых нужно прикладывать положительное управляющее напряжение для открытия ключа, а для вторых – отрицательное относительно истока.

У всех типов полевых транзисторов есть три вывода

У таких транзисторов электрод, от которого начинают движение основные носители за­ряда, называется истоком; электрод, к которому движутся ос­новные носители заряда, — стоком, а электрод, к которому прикладывают управляющее напряжение, — затвором.

По материалу изготовления транзисторы бывают кремниевые или германиевые;

по механизму движения носителей заряда — диф­фузионные, или дрейфовые.

Униполярные (биполярные) транзисторы могут быть маломощ­ными СР_тах< 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 до 1,2 Вт) и мощ­ными (свыше 1,2 Вт). В зависимости от предельной частоты они бывают (рис. 2.37) низкочастотными (f_m3X< 3 МГц), среднечастотными (3... 30 МГц), высокочастотными (от 30 до 300 МГц) и сверх­высокочастотными (свыше 300 МГц).

По функциональному назначению транзисторы в радиоэлектрон­ных схемах разделяют на двухпереходные биполярные (усилитель­ные, импульсные, малошумящие, высоковольтные, фототранзи­сторы) и полевые (униполярные) с каналом и управляющим зат­вором в виде р— л-перехода, с встроенным или индуцированным каналом и изолированным затвором.

Кроме того, транзисторы различают по мощности и частоте. В зависимости от максимальной мощности Р_ктах, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, среднечастотные, вы­сокочастотные и сверхвысокочастотные.

В настоящее время используется система обозначения транзис­торов, состоящая из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра — обозначает материал тран­зистора (Г или 1 — германий или его соединения; К или 2 — крем­ний или его соединения; А или 3 — галлий или его соединения).

Второй элемент — буква — обозначает тип транзистора (Т — биполярные транзисторы; П — полевые транзисторы).

Третий элемент — цифра — указывает назначение и качествен­ные свойства прибора а также порядковый номер раз­работки.

Четвертый элемент — буква — обозначает разновидность типа прибора (деление на параметрические группы).

Так, например, КТ324А обозначает кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность А; ГТ905Б — германиевый большой мощности высокочастотный транзистор, разновидность Б.