Виды биполярных и полевых транзисторов

Транзистором (TRANSfer varISTOR – переходное (передача) нелинейное сопротивление) называется активный радиоэлемент, предназначенный для усиления, генерации электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей. Различают биполярные, лавинные, однопереходные и полевые транзисторы.

Наиболее распространённые биполярные транзисторы и полевые транзисторы.

В однопереходных транзисторах (двухбазовых диодах) кристалл полупроводника разделяется p-n -переходом как бы на две области базы. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличие от биполярных и полевых транзисторов однопереходный транзистор представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Эти транзисторы часто используют в схемах импульсных генераторов.

Промышленность также выпускает лавинные транзисторы, в которых в области коллектора используется лавинное размножение носителей заряда (лавинный пробой). Для получения описанного эффекта U_кэ значительно повышают. Эти транзисторы используют для генерирования импульсов наносекундной длительности.

В настоящее время получил распространение ещё один тип транзистора  IGBT, в русской транскрипции БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором), гибридный тип, где МОП (МДП) транзистор с переходом n- типа управляет базой биполярного транзистора. И это позволяет использовать преимущества обоих типов: большое быстродействие и большое входное сопротивление, как у полевых;  большой электрический ток при очень малом напряжении насыщения и очень большое напряжение пробоя, как у биполярного.

Графическое изображение транзисторов.

Изображения транзисторов на функциональных и принципиальных схемах отражают только основные особенности, которые влияют на понимание работы схемы, например: биполярный транзистор структуры p-n-p и n-p-n, лавинный транзистор, полевые транзисторы и однопереходной транзистор (двухбазовый диод). Основные условные изображения диодов и тиристоров приведены на рис. 1.30.

Рис. 1.30. Условные графические обозначения транзисторов:

а — биполярный транзистор р-n-р -типа;                               

б — биполярный транзистор n-p-n -типа;  

в — лавинный транзистор р-n-р -типа;  

г — полевой транзистор с р-n переходом и каналом n -типа;

д — полевой транзистор с р-n переходом и каналом р -типа;

е — полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным р -каналом обогащенного типа;  

ж — полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным n -каналом;

и — двухзатворный полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным р -каналом;

к — однопереходной транзистор с n -базой (двухбазовый диод);

л — IGBT (БТИЗ) транзистор.