Описание лабораторной установки

Лабораторный стенд содержит базовые части схем исследования полевых транзисторов, источники питания и измерительные приборы.

Источники питания имеют общую шину отсчета потенциалов (схемная земля). Потенциальные шины источников питания относительно схемной земли имеют потенциалы, В: +10; +20; – 10; – 20. Эти шины соединены с соответствующими гнездами на лицевой панели стенда.

Сборка испытательной схемы заключается в подсоединении к соответствующей базовой части схемы измерительных приборов и потенциальных шин источников питания в соответствии с рис. 16, 17, 18.

При проведении испытаний на схему подаются регулируемые значения напряжений U _зи и U _си. На схемах по рисункам 16, 17, 18 регулирование этих напряжений осуществляется с помощью потенциометров R1 и R2.

Для защиты транзисторов от пробоя под действием электростатического заряда затворы и стоки полевых транзисторов соединены через резисторы с общей шиной источников питания (на схемах не показаны). Общая шина через резистор также соединена с клеммой «земля» на лицевой панели стенда.

 

 

R1

R2

Рис. 16

 

+

–

R2

R1

+

–

Рис. 17

 

+

–

R2

R1

–

Рис. 18

 

Рабочее задание

1. Изучить первый раздел данного лабораторного практикума.

Исследовать семейства проходных и выходных ВАХ полевых транзисторов. Семейства ВАХ строятся для нескольких значений их параметров. Параметром семейства проходных (выходных) ВАХ является напряжение U _СИ (U _ЗИ). Собрать схему по рис.16 для исследования транзистора с управляющим p–n -переходом. Измерить напряжение отсечки  при U _СИ = E ₂. Заполнить таблицы экспериментальных данных для семейств проходных и выходных статических ВАХ и построить графики этих функций.

2. Собрать схему по рис.17 для исследования МДП-транзистора с индуцированным каналом. Измерить , составить таблицы данных экспериментального исследования семейств проходных и выходных статических ВАХ и построить графики этих функций.

3. Собрать схему по рис.18 для исследования МДП-транзистора со встроенным каналом. Определить , заполнить таблицы данных экспериментального исследования семейств выходных и проходных статических ВАХ, построить графики этих функций.

4. По данным пп. 2, 3, 4 найти дифференциальные параметры транзисторов в выбранных режимах их работы. Оценить значения величины при выбранных значениях U_ЗИ.