Устройство биполярных транзисторов. Основой биполярного транзистора является кри­сталл полупроводника р-типа или n-типа проводимости, который также как и вывод от него называется базой

Основой биполярного транзистора является кри­сталл полупроводника р -типа или n -типа проводимости, который также как и вывод от него называется базой.

Диффузией примеси или сплавлением с двух сторон от базы образуются области с противопо­ложным типом проводимости, нежели база.

Область, имеющая большую площадь р-n перехода, и вывод от нее называют коллектором. Область, имеющая меньшую площадь р-n перехода, и вывод от нее называют эмиттером. р-n переход между коллектором и базой называют коллекторным переходом, а между эмитте­ром и базой - эмиттерным переходом.

Цифрами обозначены: 1- коллектор, 2- база транзистора, 3- основание, 4,5 – вплавленные в кристалл примеси, 6 – кристаллодержатель, 7 – эмиттер. На рисунке видно, что эмитерная область имеет меньшую площадь, чем коллекторная. Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. В эмиттере концентрация носи­телей заряда максимальная. В коллекторе - несколько меньше, чем в эмиттере. В базе - во много раз меньше, чем в эмиттере и коллекторе.

а) б)

На рис. показано изображение на схемах транзисторов типа p-n-p Рис.а) и n-p-n Рис.б). Направление стрелки в транзисторе показывает направление протекающего через него тока.