Принцип процесса IBS (рисунок)

Принцип процесса IBS (рисунок)

62-ой слайд:

Параметры покрытий из чистых и смешанных оксидов (таблица)

63-ий слайд:

Полученные экспериментальным путем данные LIDT и прогноз с помощью моделей в отношении диапазона пропускания смесей (рисунок)

64-ый слайд:

Оценка LIDT на основе диапазона в и продолжительности в фемтосекундном режиме + формула

Феноменологическая формула, которая учитывает зависимость от длительности импульса и полосового разрыва

, здесь F - внутренняя пороговая текучесть в Дж/см², определяемая из максимального значения текущей волны электромагнитной волны, E_g - интервал поглощения материала, τ - продолжительность импульса (в фс).

65-ый слайд:

LIDT для фемтосекундных импульсов на зеркалах HR (рисунок)

Данные по повреждению образцов (фс лазер)

25 компаний и институтов, 35 образцов

Диапазон частоты повреждений для HfO₂ как высокоиндексного материала, схож с SiO₂

66-ый слайд:

Моделирование С-на-1 LIDT экспериментальных результатов с учетом дефектов, вызванных зарождением и лазерным излучением (2 рисунка)

67-ой слайд:

LIDT из материалов однослойного слоя, осажденных на образцы расплавленного кварца + рисунок

EBD: Осаждение электронного пучка,

IAD: Осаждение электронного пучка с помощью ионов,

IBS: Распыление ионного луча,

DIBS: Распыление двуионного луча,

MS: Магнитное распыление.

Испытания LIDT проводятся на частоте 1030 нм, 500 - 530 фс в режиме 1-на-1. Сообщаемая LIDT представляет собой внутреннюю пороговую текучесть.

68-ой слайд:

LIDT однослойных материалов, отложенных на пробах расплавленного кварца ионным пучком + рисунок

Испытания LIDT проводятся при температуре 1030 нм, 500 - 530 фс в режиме 1-на-1. Сообщаемый LIDT представляет собой внутреннюю пороговую текучесть.

Разница в LIDT для SiO₂ связана с различиями в осаждении покрытий различными производителями

69-ый слайд: