2014-02-17
570
Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы
Многоэмиттерные транзисторы составляют основу цифровых ИС транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Имея общие коллектор и базу, транзистор содержит до 16 эмиттеров. Структура трехэмиттерного транзистора показана на рис. 1.8. Ее можно рассматривать как интегрированную совокупность транзисторов, обладающую двумя особенностями.
Рис. 1.8
Во-первых, соседние эмиттеры образуют паразитную горизонтальную n–р–n-структуру, коэффициент усиления которой должен быть уменьшен путем увеличения расстояния между эмиттерами. Это расстояние должно быть больше диффузионной длины электронов. Практически оно составляет 10...15 мкм.
Во-вторых, при закрытом эмиттерном переходе и открытом коллекторном вертикальная n–р–n-структура переходит в инверсный режим, в результате чего в цепи закрытого эмиттерного перехода возникнет ток, обусловленный инжекцией из коллектора. Чтобы уменьшить этот ток, необходимо уменьшить инверсный коэффициент передачи тока, что достигается путем увеличения расстояния, проходимого электронами через базу. С этой целью внешний вывод базы соединяют с активной областью транзистора через узкий перешеек, обладающий сопротивлением 200...300 Ом.
Интегра́льная (микро) схе́ма (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочи́п (англ. microchip, silicon chip, chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство —электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) ипомещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки [1].
Размер при предпросмотре: 485 × 599 пикселей. Другие разрешения: 194 × 240 пикселей | 389 × 480 пикселей | 486 × 600 пикселей | 622 × 768 пикселей.
Изображение в более высоком разрешении (1189 × 1468 пикселей, размер файла: 329 КБ, MIME-тип: image/jpeg); ZoomViewer: flash/no flash
Первый этап – изобретение точечного германиевого транзистора в 1948 году в лаборатории Bell Telephone Laboratories.
Второй этап – создание плоскостных кремниевых транзисторов в 1953 году на фирме Texas Instrument Incorporation и налаживание их группового производства.
Третий этап – создание первой интегральной схемы в 1961 году на фирме Fairchild Semiconductor, представляющей собой триггер, состоящий из четырех биполярных транзисторов и двух резисторов и по сегодняшний день.
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов иинтегральных микросхем.
Стадии изготовления планарного транзистора: а - исходная пластина; б - после первого окисления; в - после первой фотолитографической обработки; г - после создания базовой области и второго окисления; д - после второй фотолитографической обработки; е - после создания эмиттерной области и третьего окисления; ж - после третьей фотолитографической обработки; з - после металлизации; 1 - исходный кремний с электропроводностью n-типа; 2 - маскирующая плёнка двуокиси кремния; 3 - базовая область; 4 - эмиттерная область; 5 - металлическая плёнка (контакты).
