Выходное сопротивление транзистора

Входное сопротивление транзистора

Каскад с ОК. Эмиттерный повторитель

По переменному току коллектор на общей шине - через источник Uп, емкость Сбл.

Нагрузка включена в цепь эмиттера. Делитель R_б1, R_б2 создает потенциал базы U_э.о. меньше на величину Uбэ=0.25В для Ge (0.75В для Si).

Выходное напряжение совпадает по фазе с входным и близко к нему по величине.

Сравнительно большое r^*_к.диф (@ 10 кОм) шунтируется небольшим сопротивлением R_э.н = R_э || R_н. Поэтому в дальнейшем можно пренебречь r^*_{к. диф} .

R_вх.т=r_б+(h_21э+1)(r_э.диф+R_э.н)

достигает значительной величины.

Для каскада R_вх=R_вх.т || R_б

R_вых= U₂/I₂ при U₁=0, R_э.н=µ.

I₂ =U₂ / (r_э.диф + r_б) + [r_б / (r_б + r_э.диф)] h_21эI_б

Отсюда R_вых.т = r_э.диф + r_б/(h_21э+1).

Кстати, оно равно R_вх.т в схеме с общей базой. Если учесть и внутреннее сопротивление источника сигнала:

R_{вых. т} = r_{э. диф} + (r_б + R^\_r)/(h_21э+1)

R_{вых. т} имеет небольшие значения. При I=5 mA, h_21э=50, r_б =200 Ом

R_{вых. т}= 25/5 + 200/50 =9 Ом

При учете R_r величина R_{вых. т} возрастает, и при R_r ® µ. R_{вых. т} ® r^*_к.диф Практически при R_r @ 2 кОм R_вых.т @ 100 Ом.