Интегральные микросхемы семейства транзисторно-транзисторной логики ТТЛ характеризуются сравнительно высоким быстродействием при относительно большой потребляемой мощности, высокой помехоустойчивостью и большой нагрузочной способностью. Промышленность выпускает несколько разновидностей ТТЛ интегральных микросхем (ИМС), в том числе ИМС с диодами Шоттки (ТТЛШ) повышенного быстродействия (но большей мощности потребления) и маломощные (но с меньшим быстродействием).
Микросхемы ЭСЛ-типа являются наиболее быстродействующими. Это обусловлено, в частности, тем, что транзисторы элемента работают в активном режиме, что исключает время выхода из насыщения; перезарядка нагружающих вывод емкостей происходит достаточно быстро через малое выходное сопротивление эмиттерных повторителей. Наряду с высоким быстродействием и большой нагрузочной способностью ЭСЛ-элемент отличается меньшей, чем ТТЛ-элемент, помехоустойчивостью (ввиду того, что для его переключения достаточен небольшой перепад входного напряжения), а также относительно большим потреблением энергии (за счет работы транзисторов в активном режиме и малых сопротивлений резисторов, дополнительно обеспечивающих быстродействие), что повышает требования к источникам питания и системе охлаждения.
|
|
Микросхемы КМОП-типа отличаются исключительно малым потреблением энергии, за счет чего температура кристалла не превышает допустимой при весьма большом количестве компонентов на нем. Это позволяет изготовлять большие интегральные схемы (БИС) КМОП-типа с наивысшей в настоящее время степенью интеграции. Малая потребляемая мощность позволяет использовать аппаратуру на КМОП ИМС при ограниченных возможностях источников питания. Вместе с этим КМОП ИМС отличают высокая помехозащищенность, а большое входное сопротивление КМОП-элемента, нагружающего данный, обеспечивает его высокую нагрузочную способность (большой коэффициент разветвления по выходу). Наряду с этим КМОП-эле-мент имеет ограниченный коэффициент объединения по входу. Это связано с тем, что число входов равно числу нагрузочных транзисторов; за счет значительного падения напряжения на большом количестве отпертых нагрузочных транзисторов напряжение U1,лог. 1 на выходе может существенно снизиться. По быстродействию микросхемы КМДП-типа принципиально уступают микросхемам ЭСЛ- и ТТЛ-типов.
В табл. 1.3.4.1. сведены усредненные параметры элементов рассмотренных типов. Конкретные параметры микросхем разных серий приведены в справочниках.
Таблица 1.3.4.1.
араметр | Тип логики | |||
ТТЛ | ТТЛШ | ЭСЛ | КМОП | |
Напряжение Еп, В | -5,2 | 3...15 | ||
Напряжение лог. 1 U1, В | 2,4 | 2,7 | -0,9 | =Еп |
Напряжение лог.0 U°, В | 0,4 | 0,5 | -1,6 | = 0 |
Быстродействие t 3, нс | 2,9 | |||
Помехоустойчивость Uпом, В | Не менее 0,4 | Не менее 0,5 | 0,2 | Не менее 0,3 Еп |
Потребляемая мощность, Рпот, мВт | 0,1 | |||
Коэффициент разветвления по выходу, Краз | ||||
Коэффициент объединения по входу, Коб | 2...5 |
Заметим, что в ряде случаев цифровое устройство приходится выполнять на микросхемах разных типов (например, ТТЛ и ЭСЛ). При этом для согласования уровней лог. 1, а также лог. 0 применяют преобразователи уровней.
|
|