Кремниевый транзистор типа п+-р-п имеет эффективность эмиттера 0,999, коэффициент переноса через базу 0,99, толщина нейтральной области базы 0,5 мкм. Заданы значения концентрации примесей:
а) Определите предельное напряжение на эмиттере, при котором прибор перестает быть управляемым и наступает явление пробоя.
б) Учитывая, что частота отсечки зависит от времени пролета неосновных носителей через область базы, вычислите частоту отсечки транзистора в схемах ОБ и ОЭ, если
Решение:
а) Переход эмиттер–база
В.
Переход коллектор–база
В.
Если U ЭБ = U КБ, то
Чтобы определить напряжение U прб, находим
Приравнивая правые части двух последних равенств, получаем U прб = 13,8 В.
б)