2015-01-07
212
3.1. Схемы эксперимента.
3.2. Экспериментальные данные – осциллограммы в контрольных точках схемы (Х1, Х2, Х3, Х4) для четырех режимов работы МВ (см. п.2.3.).
3.3 Теоретические расчеты динамических параметров МВ tu, tп, Т, f для четырех режимов работы (см. п.2.3) и объяснение расхождения теоретических и экспериментальных данных по ним.
Контрольные вопросы
4.1. Особенности схемотехнического построения МВ на транзисторах.
4.2. Привести и объяснить условия самовозбуждения двухкаскадного транзисторного ключа, охваченного ПОС.
4.3. Объяснить различие значений динамических параметров МВ от значений параметров его элементной базы, в том числе и RC – цепочек.
Литература
1. Схемотехніка електронних систем: Підручник в двох томах / Жуйков В.Я., Бойко В.І., Зорі А.А., Співак В.М. – К.: Аверс, 2002. – 772 с. Том. 2. Цифрова схемотехніка / Жуйков В.Я., Бойко В.І., Зорі А.А., Співак В.М. – К.: Аверс, 2002. – 406с.
2. Ерофеев Ю.Н. Импульсные устройства – М.: Высш. шк., 1989. – 527с.
3. Ефремов В.Д. и др. Импульсные устройства автоматики и вычислительной техники: Л:Энергия, 1977. – 284с.
4. Зельдин Е.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-вычислительной аппаратуре – Л: Энергоатомиздат, 1986. – 280с.
5. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. – 2-е изд., перераб. И доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1988. – 304 с.
