Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом

1. Стока-затворные (или передаточные) (рисунок 1.42 б):

I _c = f (U _з-и) / U _c-и= const.

2. Стоковые (или выходные) (рисунок 1.42 а):

I _c = f (U _c-и) / U _з-и= const.

Выходная характеристика показывает, что с увеличением U _cи ток стока I _c начала растет довольно быстро, а затем это нарастание замедляется, т. е. наступает насыщение. Именно в этой области насыщения, на пологих участках и происходит работа транзистора.

Рисунок 1.41 – характеристики полевых транзисторов с p-n- переходом

Явление насыщения объясняется тем, что при повышении U _cи ток I _c должен увеличиваться, но т. к. одновременно повышается обратное напряжение на p-n- переходе, то запирающий слой расширяется, а канал сужается, т. е. его сопротивление возрастает, и I _c должен уменьшаться. Т. е. имеют место два взаимно противоположных воздействия на ток, который в результате остается почти постоянным.

При подаче большего отрицательного U _з-иток стока I _c уменьшается и характеристика проходит ниже.

Дальнейшее повышение U _cи приводит к электрическому пробою p-n- перехода и I _c начинает лавинно возрастать.

Параметры.

1. Крутизна S = | U _си = const характеризует управление действия затвора. Например, S = 3 мA / B означает, что изменение U _з-ина 1В создает изменение тока стока на 3 мA.

2. Внутренне (выходное) сопротивление R_i = | U _ç−è, т. е. это сопротивление транзистора между стоком и истоком.

3. Коэффициент усиления M = − | I _c = const, показывает, во сколько раз сильнее на I _c действует изменение U _зи, по сравнению с U _cи. Т. е. выражается отношением таких изменений напряжений, которые компенсируют друг друга по действию на I _c. Для такой компенсации напряжения должны иметь разные знаки, отсюда знак минус.