Основные электрорадиоэлементы полупроводниковых интегральных микросхем

Полупроводниковыми интегральными микросхемами (ИМС) называют такие схемы, у которых все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и (или) на поверхности кристалла полупроводникового материала. Они могут быть построены на различных материалах. Однако наибольшее применение находит кремний вследствие широкого интервала рабочих температур и возможности получения на его поверхности стойкой пленки диоксида кремния Si0₂. Эта пленка служит защитным покрытием при проведении ряда технологических операций, предохраняет схему от внешних воздействий и применяется для изоляции отдельных элементов.

Перспективным материалом является арсенид галлия. Он обладает высокой подвижностью электронов, прозрачен в инфракрасной области, имеет высокую теплопроводность ихорошиеэлектрооптические свойства. Схемы, построенные на арсениде галлия, обладают по сравнению с кремниевыми в 5 раз большим быстродействием, меньшей мощностью рассеяния и более значительной радиационной стойкостью. Арсенид галлия применяют в оптоэлектронных и других устройствах, где используются его специфические свойства. Широкое использование его ограничивается трудностями получения монокристаллов больших размеров и создания изолирующих слоев. Преодоление этих трудностей может сделать этот материал основным при изготовлении полупроводниковых интегральных схем.

Элементами полупроводниковых микросхем являются резисторы, конденсаторы, диоды и транзисторы. Диоды и транзисторы — основные элементы. Они имеют те же ха-рактеристики, что и в дискретном исполнении.