Формирование электронно-дырочного перехода

Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным переходом или р-п переходом.

Из полупроводника р-типа в полупроводник n-типа диф­фундируют дырки, а в обратном направлении электроны. В ре­зультате диффузии носителей по обе стороны границы раздела двух полупроводников с различным типом электропроводности создаются объемные заряды различных знаков. В области п воз­никает положительный объемный заряд и в области р - отрица­тельный. Между объемными зарядами возникает контактная раз­ность потенциалов и внутреннее электрическое поле, вектор напряженности Е которого направлен из области п в область р, его еще называют запирающим.

В р-п переходе возникает потенциальный барьер, препятст­вующий диффузионному переходу носителей. В результате этого возникает зона с низкой концентрацией основных носителей. Эта зона и есть p-n переход. Ширина p-n

перехода составляет около 0,1 мкм и зависит от концентрации приме­сей в полупроводниках. Так как эта зона обеднена основными носите­лями, сопротивление ее велико.

Работа электронно-дырочного перехода при прямом и