Устройство биполярного транзистора

Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами и тремя выводами. Используются в схемах усиления мощности электрических сигналов. Основой биполярного транзистора является кристалл крем­ния или германия, в котором создаются три области с чередую­щимися

типами проводимости {р-п-р или п-р-п). Среднюю область называют базой, а крайние - эмиттером и коллектором. Все три слоя имеют выводы. Для защиты от внешних воздействий кри­сталл герметично закрывается металлическим или пластмассовым корпусом. На рис. 7.1 изображена структура и условные обозначения транзисторов р-п-р и п-р-п типов.

Рис.7.1. Структура и условные обозначения транзисторов: а — транзистора р-п-р-типа.; б — транзистора п-р-п –типа

На рис. 7.2 показана конструкция плоскостного транзистора р-п-р-типа, изготовленного сплавным способом.

На пластинку 1германия с электронной прово­димостью, которая является базой транзистора, с обеих сторон наплавлен индий 2, 5 благодаря чему на противоположных сторонах базы создаются области с дырочной проводимостью.

Рис.7. 1

Одна из полученных областей выполняет функцию эмиттера, вторая -- коллектора. При этом со стороны эмиттера действует электронно-дырочный переход, называемый эмиттерным, а со стороны коллектора -- коллекторный. Монокристалл помещают в кристаллодержатель,, который припаивают к дну герметизированного кор­пуса. Вывод базы крепится к корпусу, а внутренние выводы эмиттера 2 и коллектора 5 через изо­лятор соединяются с наружными выводами Транзистор п-р-п типа. име­ет аналогичную конструк­цию.

К основным конструктивным особенностям биполярного транзистора можно отнести:

1. Эмиттер и коллектор насыщены основными носителями значительно больше чем база.

2. Эмиттер насыщен основными носителями несколько больше чем коллектор

3. База представляет из себя очень тонкий слой (несколько микрон).

4. Площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода