Если температура p-n перехода возрастает в результате его нагрева обратным током и недостаточным теплоотводом, то усиливается процесс генерации пар носителей заряда.
Это приводит к дальнейшему нагреву р-n перехода и увеличению обратного тока до значений при которых наступает разрушение перехода. Такой процесс называется тепловым пробоем.
Т.о. допустимое обратное напряжение на переходе зависит от условий теплоотвода.
Тепловой пробой необратим, поэтому этот режим недопустим при эксплуатации полупроводниковых приборов.