Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки

По мере удаления от поверхности полупроводника концентрация индуциро­ванных дырок уменьшается. На расстоянии, приблизительно равном половине тол­щины канала, электропроводность становится собственной (беспримесной). Далее располагается участок, обедненный основными носителями заряда, в котором суще­ствует область положительно заряженных ионов донорной примеси. Наличие обед­ненного участка также обусловлено отталкиванием основных носителей заряда от поверхности вглубь
полупроводника.

Таким образом, сток, исток и канал, представляющие собой рабочие области МДП-транзистора, изолированы от подложки р-n переходом.

Управление МДП-транзистором через подложку

Очевидно, что шири­на р-n - перехода и ширина канала изменяется при подаче на подложку дополни­тельного напряжения, т.е. током истока можно управлять не только путем изменения напряжения на затворе, но и за счет изменения напряжения на подлож­ке. В этом случае управление МДП-транзистором аналогично полевому транзистору с управляющим р-n - переходом.

Режимы обеднения и обогащения

В транзисторах со встроенным каналом ток в цепи стока будет протекать и при нулевом напряжении на затворе. Для его прекращения необходимо к затвору прило­жить положительное напряжение (при структуре с каналом р-типа), равное или большее напряжения отсечки. При этом дырки из инверсного слоя будут практиче­ски полностью вытеснены вглубь полупроводника и канал исчезнет. При приложе­нии отрицательного напряжения канал расширяется, и ток снова увеличивается. Таким образом, МДП-транзисторы со встроенными каналами работают в режимах как обеднения, так и обогащения.

Преимущества МДП-транзисторов

Важным преимуществом МДП-транзисторов по сравнению с биполярными яв­ляется малое падение напряжения на них при коммутации малых сигналов. Так, ес­ли в биполярных транзисторах в режиме насыщения напряжение коллектор-эмиттер принципиально не может быть меньше нескольких десятых долей вольт, то для МДП-транзисторов при малых токах стока это напряжение при работе транзистора в начальной области выходной ВАХ может быть сведено к ничтожно малой величине.