МДП-транзисторы

Другой тип полевых транзисторов - транзисторы с приповерхностным кана­лом и структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы). В част­ном случае, если диэлектриком является окисел (двуокись кремния), используется название МОП-транзисторы.

МДП-транзисторы бывают двух типов: транзисторы со встроенным и с инду­цированным каналами (в последнем случае канал наводится под действием напря­жения, приложенного к управляющим электродам).

Режимы работы МДП-транзисторов

Транзисторы со встроенными каналами могут работать как в режиме обеднения канала но­сителями заряда, так и в режиме обогащения.

Транзисторы с инду­цированными каналами мож­но использовать только в режиме обогащения.

Дополнительный вывод от подложки

В отличие от транзисторов с управляющим р-n – переходом, металлический затвор МДП-транзисторов изолиро­ван от полупроводника слоем диэлектрика, при этом присутствует дополнительный вывод от кри­сталла, называемого подложкой, на которой выполнен прибор.

Принцип действия МДП-транзисторов

Управляющее напряжение подается между затвором и подложкой. Под влия­нием образующегося электрического поля у поверхности полупроводника создается р-канал за счет отталкивания электронов от поверхности вглубь полупроводника (в транзисторе с индуцированным каналом). В транзисторе со встроенным каналом про­исходит расширение или сужение имеющегося канала. Под действием управляюще­го напряжения изменяется ширина канала и, соответственно, сопротивление и ток транзистора.

Порогов­ое напряжение

Напряжение на затворе, при котором индуцируется канал, называется порого­вым напряжением. При определении этого напряжения обычно зада­ется определенный ток стока, при котором потенциал затвора достигает порогового напряжения (0,2...1 В для транзисторов с n-каналом и 2...4 В с р-каналом).