Схемы замещения активных элементов

К радиочастотам относятся частоты выше 200 кГц. Усиление радио-частот производится с помощью биполярных и полевых транзисторов, нагруженных на резонансные колебательные системы. Различают системы с сосредоточенными (до 300 МГц) и распределенными параметрами (длинные и полосковые линии до 3 ГГц и объемные резонаторы до 30 ГГц).

При исследовании усилительных свойств активных элементов на радиочастотах используются системы уравнений с Y-параметрами. Формальная и физическая схемы замещения биполярного транзистора как четырехполюсника с общей базой приведены на рис. 5.1. Схеме на рис. 5.1, а соответствует система уравнений квазилинейного четырехполюсника с Y-параметрами:

(5.1)

(5.2)

где входная проводимость при КЗ выхода;

обратная проводимость при КЗ входа;

прямая проводимость при КЗ выхода;

выходная проводимость при КЗ входа.

В физической П-образной схеме замещения каскада (рис. 5.1, б) используются реальные физические проводимости между эмиттером, базой и коллектором транзистора, которые трудно поддаются расчету:

(5.3)

(5.4)

(5.5)

Рис. 5.1. Схемы замещения транзистора: а формальная; б − физическая

Достоинством физической схемы перед формальной является наличие в ней лишь одного генератора тока по сравнению с формальной двухконтурной схемой, имеющей два генератора. Однако для Y-параметров формальной схемы замещения разработаны пригодные по точности методики расчета, обеспечивающие их широкое распространение при проектировании схем. Чтобы совместить достоинства обеих схем, используется гибридная схема замещения, в которой физические параметры выражены через формальные:

(5.6)

(5.7)

(5.8)

(5.9)


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: