Диоды ИМС

В полупроводниковых ИМС в качестве диодов используют структуры биполярных транзисторов.

В зависимости от требований, предъявляемых к диоду в ИМС, выбирается та или иная

транзисторная структура.

Рис.9.12 ДиодыИМС на структурах транзисторов

При включении транзистора ни схемам (a) и (г) используется переход эмиттер-база. При таком включении носители зарядов накапливаются в базе. Т.к толщина базы очень мала (менее ед./доли мкм), процесс разряда емкости р-n перехода будет быстрым, что позволяет получить наибольшее быстродействие.

В этих же схемах диоды имеют наименьшее значение обратного тока, т.к. в них используется только (эмиттерный переход,) площадь и ширина которого наименьшие.

Диод, соответствующий схема (в) имеет наибольшее значение обратного тока, т.к. в этом случае оба перехода включены параллельно. Емкость такого диода увеличивается, быстродействие снижается.

В качестве диодов общего назначения используют коллекторно-базовый р-n переход - схемы (б) и (д). При таком включении диоды имеют наибольшие значения допустимых обратных напряжений.