Тонкопленочными микросхемами называются микросхемы, все элементы которой выполняются в виде плёнок на поверхности пластины. Плёнки бывают резистивные, диэлектрические и проводящие. Толщина пленки не более 1 мкр.м.
Материалом подложки служит сапфир, ситалл, керамика и стекло. Требования к подложке: механическая прочность, гладкость поверхности, беспористость, плоскость поверхности. В этой технологии пассивные элементы выполняются в виде плёнок, а активные в виде навесных.
Тонкопленочный резистор, вид сверху:
Материал для резистивных плёнок — хром, нихром, тантал.
Материал обкладок и соединительных проводников — алюминий.
Диэлектрик — оксид кремния, оксид германия, оксид тантала.
Соединительные проводники должны быть широкими и короткими, толщиной 0.5–5 мкр.м.
Методы получения тонких плёнок.
Основными методами получения тонких пленок являются термическое напыление (испарение) в вакууме и ионное распыление.