2015-04-01
430
Индивидуальное задание направлено на расчет статических и динамических характеристик и параметров базовых схемотехнических структур.
6.1. Пример типового варианта индивидуального задания
Провести расчет статических и динамических параметров и характеристик базовой схемотехнической структуры на комплементарных МОП-транзисторах.
Рис. 6.1. Базовая схемотехническая структура на комплементарных МОП-транзисторах
Исходные данные:
| № п/п | Параметр | |||
| Название | Обозн. | Ед. изм. | Значе-ние | |
| Уровень напряжения лог. “0” | U0 | В | ≤0,01 | |
| Уровень напряжения лог. “1” | U1 | В | ≥14,9 | |
| Пороговое напряжение тр-ра n-типа | Uпор.n | В | 2,5 | |
| Пороговое напряжение тр-ра p-типа | Uпор.p | В | -1,5 | |
| Коэффициент объединения | Kоб | |||
| Коэффициента разветвления | Краз | |||
| Удельная крутизна тр-ра n-типа | Kn | мА/В2 | 0,3 | |
| Удельная крутизна тр-ра p-типа | Kp | мА/В2 | 0,2 | |
| Частота переключения | f | МГц | ≤5 | |
| Максимальная емкость нагрузки | Cн | пФ | ||
| Сопротивления утечки транзисторов | Rут | МОм | ||
| Остаточные токи транзисторов | Io | мкА |
Пример выполнения индивидуального задания
|
|
|
