Полевые транзисторы

Полевой транзистор –активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля, т.е напряжением. Это принципиальное различие между ним и биполярным транзистором, где сила основного тока регулируется управляющим током.

Поскольку у полевого транзистора нет управляющего тока, то у него очень высокое входное сопротивление, достигающее сотен ГигаОм и даже ТерраОм (против сотен КилоОм у биполярного транзистора).

Полевые транзисторы называют также униполярными, поскольку носителями электрического заряда в них выступают только электроны или только дырки. В работе же биполярного транзистора участвует одновременно два типа носителей заряда – электроны и дырки.

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим p-n -переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители).

Каждый из типов может быть как с n –каналом, так и с p -каналом. У транзисторов с n -каналом в роли носителей электрического заряда выступают электроны. У транзисторов с p -каналом – дырки.

В полевых транзисторах с изолированным затвором электрод затвора изолирован от полупроводникового канала с помощью слоя диэлектрика из двуокиси кремния SiO₂. Электроды стока и истока располагаются по обе стороны затвора и имеют контакт с полупроводниковым каналом.

Полупроводниковый канал может быть обеднен носителями зарядов или обогащен ими. При обеденном канале электрическое поле затвора повышает его проводимость, поэтому канал называется индуцированным. Если канал обогащен носителями зарядов, то он называется встроенным. Электрическое поле затвора в этом случае приводит к обеднению канала носителями зарядов.

Условное схематическое изображение полевых транзисторов приведено на рис. 5.