2015-05-10
337
Рисунок 2.6 – Схема для исследования входной ВАХ n-p-n-транзистора в схеме с ОБ
Таблица 2.3 Соответствие тока эмиттера IЭ напряжению база-эмиттер UБЭ при фиксированном значении напряжения коллектор-база UКБ
| UКБ,В | IЭ, мА | ||||||
| UБЭ, В | 0,719 | 0,743 | 0,759 | 0,771 | 0,781 | ||
| UБЭ, В | 0,714 | 0,738 | 0,753 | 0,765 | 0,774 |
Рисунок 2.7 - Семейство выходных характеристик IБ=f(UБЭ) при UКБ=const.
Рисунок 2.8 – Схема для исследования входной ВАХ для схемы с ОЭ: для транзисторов структуры n-p-n;
Таблица 2.4 Соответствие тока базы IБ напряжению база-эмиттер UБЭ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер UКЭ (для n-p-n транзистора)
| UКЭ,В | UБЭ, В | 0,1 | 0,3 | 0,5 | 0,69 | 0,9 | |
| IБ, нА | 36,061 | 38,311 | 44,997 | 1,389* 
| 14,24*
| ||
| IБ, нА | 28,216 | 29,797 | 33,198 | 60,308 | 3,859*
| ||
| IБ, нА | 26,725 | 28,135 | 31,404 | 56,735 | 3,861*
|
Рисунок 2.9 - Семейство выходных характеристик IБ=f(UБЭ) при UКЭ=const.
Выводы
Были исследованы входная и выходная характеристики биполярных транзисторов, полученных экспериментальным путем.
