В связи с развитием таких отраслей науки и техники, как электроника, атомная энергетика, ракетостроение, возникла потребность в материалах высокой чистоты и совершенной структуры. Обычными металлургическими и химико-технологическими методами получить такие материалы не удается.
Метод зонной перекристаллизации, называемый часто в технической литературе зонной плавкой, оказался простым по технике исполнения, эффективным по результатам для получения материалов высокой степени чистоты.
Сущность зонной перекристаллизации состоит в том, что вдоль твердого слитка перемещается узкая расплавленная зона, а примеси перераспределяются между твердой и жидкой фазами.
Количественной термодинамической характеристикой распределения примеси между твердой и жидкой фазами в равновесных условиях является равновесный коэффициент распределения К.
Для бинарных систем (А - основной компонент, В - примесь) равновесный коэффициент распределения равен отношению концентраций примеси в равновесных твердой и жидкой фазах:
|
|
В зависимости от вида диаграммы состояния примеси с основным компонентом равновесный коэффициент К может быть больше или меньше 1.
Если примесь понижает температуру плавления основного компонента, то К<1. Равновесная жидкая фаза обогащается относительно твердой примесью; при этом фронт кристаллизации оттесняет примесь к концу слитка. При К>1 примесью будет обогащаться твердая фаза; примесь сконцентрируется в головной части слитка.
Чем больше К отличается от 1, тем эффективнее можно осуществить в процессе зонной перекристаллизации глубокую очистку материалов от примеси.
Особенность зонной плавки состоит в том, что одновременно плавится не весь материал, подлежащий очистке от примесей, а часть его. Узкая расплавленная зона медленно перемещается вдоль твердого слитка. Перемещающаяся по слитку расплавленная зона имеет две поверхности раздела - фронт кристаллизации н фронт плавления.
В процессе зонной плавки в расплаве перед фронтом кристаллизации возникает диффузионный пограничный слой δ, скорость перемещения примесей в котором лимитируется диффузией, т.е. мала.
В реальных условиях зонная плавка осуществляется в неравновесных условиях, и степень очистки материала будет зависеть от равновесного коэффициента распределения К и условий кристаллизации, важнейшими из которых являются скорость кристаллизации υ, толщина диффузионного слоя δ и коэффициент диффузии примеси в жидкой фазе D.
Для учета реальных условий очистки вводят понятие эффективного коэффициента распределения примеси:
|
|
где безразмерный показатель называют приведенной скоростью кристаллизации.
Эффективный коэффициент распределения может изменяться от значения К до 1. Если Кэфф=1. т.е. приведенная скорость роста кристаллов стремится к бесконечности, перераспределение примеси по длине слитка не происходит. При уменьшении скорости кристаллизации расплава Кэфф приближается к К, и условия рафинирования улучшаются.
Рис. 1. Схема зонной плавки и распределение принеси по длине слитка при К<1
Режим кристаллизации-выбирают максимально благоприятный для очистки материала. Если К<1 (рис. 1), то скорость движения зоны должна быть такова, чтобы примеси за счёт диффузии внутри диффузионного слоя δ успевали переместиться в объем жидкой фазы. Такой режим кристаллизации обеспечивает глубокую очистку материала от примеси.
Однако, если при кристаллизации скорость движения фронта кристаллизации будет превышать скорость диффузии примеси, то в диффузионном слое, относительно объема жидкой фазы, будет увеличиваться концентрация примеси. Так как диффузионный слой непосредственно прилегает к фронту кристаллизации, то состав растущих кристаллов определяется концентрацией примеси в нем, а не в объеме жидкой фазы.
В аналитической форме распределение примеси В вдоль оси слитка при зонной перекристаллизации описывается уравнением
где Св(исх) и Св - исходная и соответствующая данному сечению концентрация примеси по ходу кристаллизации, кг/м3; X - расстояние от точки начала кристаллизации до сечения слитка с концентрацией примеси Св, м; L - длина расплавленной зоны, м.
Эффективность очистки материалов зонной перекристаллизацией может быть повышена многократным повторением операции.