Строение ДЭС по Гуи-Чепмену

Гуи (1910) и Чепмен (1913) показали, что под влиянием теплового движения электростатически адсорбированные ионы могут уходить от поверхности электрода.

Это привело к созданию модели диффузной обкладки двойного слоя.

Строение ДЭС по Штерну

Согласно Штерну, двойной электрический слой можно представить состоящим из двух частей: плотной части, как в модели Гельмгольца, и диффузной части, как в модели Гуи-Чепмена.

Граница между плотной и диффузной частями двойного слоя носит название плоскости Гельмгольца. Она является незаряженной.

В образовании плотной части двойного слоя могут принимать участие на только электростатические силы, но и силы специфической адсорбции.

Модель Грэма

Грэм разделил плотную часть двойного электрического слоя (ДЭС) на две составляющие: внутреннюю и внешнюю.

1) Внутренняя часть ДЭС образованна ионами, частично или плотностью потерявшими сольватную оболочку. Ионы хемосорбируются на поверхности электрода.

2) Во внешней части ДЭС ионы удерживаются электростатическими силами. Внешняя часть отделяет плотную часть ДЭС от диффузной.