Студопедия
Обратная связь


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram 500-летие Реформации

Загрузка...

Эффект плазмон-экситонного взаимодействия

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

 

Воздействие света на поверхность вызывает различные эффекты в зависимости от того, металл это или полупроводник. С помощью комбинирования этих материалов в одной наноструктуре можно достичь новых интересных свойств.

Механизмы таких эффектов основаны на взаимодействии между экситонами – возбужденными электронными состояниями в полупроводниках и плазмонами, которые существуют в металлах. Понимание деталей плазмон-экситонного взаимодействия может открыть новые возможности в конструировании оптических компьютеров, плазмонных лазеров и более мощных солнечных элементов.

Когда свет ударяет по поверхности металла, может возникнуть плазмонная поляризация, или, как ее называют, «поверхностный плазмон» – это перемещающаяся волна, обладающая электромагнитным полем и колебанием электрона. Ученые научились использовать этот эффект в качестве крошечной антенны для усиления поглощения света солнечными батареями.

Другим применением этого эффекта могут служить аппараты, в которых электрический ток заменен на плазмонные волны, поскольку теоретически с помощью плазмонов можно передать большее количество информации, однако, предварительно сжав эти эффекты до наноразмеров, которые заданы современными компьютерными чипами.

Зарождающееся поле плазмонных применений ограничивается тем фактом, что плазмоны существуют лишь 10–100 фемтосекунд, после чего превращаются либо в световую волну, либо в колебание атома. Одним из решений проблемы может стать умножение плазмонного сигнала с помощью добавления фотонов, испускаемых в результате контакта металл-полупроводник. Световые импульсы могут возбудить электроны в полупроводнике, создав экситоны, которые затем возвращаются в исходное состояние с испусканием фотонов. Но для создания такого «амплификатора» с участием экситонов и плазмонов необходимо знать о взаимодействии межу собой этих квазичастиц. Ученые уже наблюдали такого рода взаимодействия, отмечая изменения оптических свойств полупроводников, объединенных с металлом в одной наноструктуре. Открытым остался вопрос о количественном переносе энергии между этими двумя материалами.

Для изучения плазмон-экситонных взаимодействий создают гибридные наноструктуры, в которых четко контролируют плазмоны. Для этого на полупроводниковую пластину арсенида галлия толщиной в 10 нм наносят полоски из золота толщиной 360 нм, оставляя зазор между ними в 140 нм. Облучая инфракрасным лазером полоски и измеряя количество отраженного света, ученые рассчитали количество плазмонов, образующихся на верхней и нижней стороне золотых полосок. Далее, варьируя угол входящего лазера, ученые смогли изменять длину волны плазмонов. Когда длина плазмонной волны приближалась к резонансным характеристикам экситона в арсениде галлия (при 810 нм), наблюдалось уменьшение отраженного света – то есть плазмоны на обратной стороне золотой полоски взаимодействовали с экситонами полупроводника.

Рис. 12.8 «Золотые волны» – на рисунке изображена компьютерная модель, отражающая силу электрического поля вокруг наноразмерных золотых полосок (в поперечном разрезе), подвергаемых воздействию инфракрасного лазера.

Для объяснения полученных данных ученые построили математическую модель взаимодействия осцилляторов, согласно которой взаимодействие экситона и плазмона составило 8 мэВ, из чего следует, что для перехода из плазмона в экситон необходимо 250 фемтосекунд.

Количественные значения можно варьировать, изменяя структуру образца, но принцип взаимодействия будет неизменен. Хотя эта система превращает плазмоны в экситоны, она может работать и в обратном направлении, если с помощью электрического тока или лазера нагнетать количество экситонов в полупроводнике. Такой механизм умножения плазмонного сигнала представляет интерес для разработки плазмонного лазера (SPASER).

<== предыдущая статья | следующая статья ==>





 

Читайте также:

Глава 11. Макроскопические квантовые эффекты в твердых телах

Физические основы создания микро- и нано-электромеханических систем (МЕМС)

Объяснение понятий экситона и поляритона

Методы зондовой микроскопии. 1.1.1. Атомно-силовая микроскопия

Общая физиология сенсорных систем. Классификации рецепторов. Адекватные рецепторы. Механорецепторы. Хеморецепторы. Фоторецепторы. Терморецепторы. Общая физиология сенсорных систем

Явление магнитного резонанса используется для обнаружения и измерения электрических и магнитных взаимодействий электронов и ядер в макроскопических количествах вещества. Это явление обусловлено парамагнитной ориентацией электронного и ядерного токов внешн

Устройство и принцип работы СТМ

Физические основы применения явления сверхпроводимости в измерительных устройствах

Резонаторы на ПАВ

Акустооптические системы с обратными связями:

Конструктивные особенности и основные характеристики микроэлектромеханических устройств 3 3.1 Технология MEMS

Наноэлектроника

Вернуться в оглавление: Физические явления

Просмотров: 1652

 
 

54.196.105.189 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам.