при включении с общим эмиттером

. Рассмотрим выходную характеристику при I_б=0.

так как I_б=0, то по первому закону Кирхгофа I_К= I_Э.

Если I_б отличен от нуля, то:

При U_эк >0 и разорванной цепи базы, начальный ток количественного перехода I_ко понижает заряд базы, что вызывает поток дырок через эмиттерный переход. Этот поток делится на 2 составляющие: 1) αI_э транзитом проходит в коллектор, а меньшая составляющая (1-α)I_э рекомбинируется с электронами базы. Первая составляющая не вызывает изменения заряда базы, так как сколько дырок приходит, столько же и уходит; 2) вторая составляющая увеличивает заряд базы, так как после рекомбинации электронов базы с дырками эмиттера в базе остаются некомпенсированный положительные ионы. Состояние динамического равновесия устанавливается тогда, когда действие I_ко уравновешивается действием (1-α)I_э, в соотношении (1), которое при I_б=0 и I_к=I_э принимает вид (2), где I_ко’ – начальный ток коллектора в схеме с ОЭ. Таким образом, выходная характеристика транзистора при I_б=0 повторяет как бы обратную ветвь ВАХ коллекторного перехода, ординаты которой увеличиваются в раз.

При I_б отличного от нуля условие динамического равновесия зарядов в базе принимает вид (3), которое после подстановки (4) и некоторых преобразований записывается как (5), здесь - коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ. При уменьшении U_эк ток коллектора уменьшается сначала незначительно, а при U_эк приблизительно равном U_эб резко падает, поясним это:
по второму закону Кирхгофа:

U_эб + U_бк = U_эк => U_бк = U_эк- U_эб

Пока U_бк>0, т.е. U_эк>U_бк до тех пор поле коллектора перехода является ускоряющим для неосновных носителей, и транзистор функционирует нормально. Как только это поле меняет знак (U_эк<U_эб) нарушается функционирование транзистора, и ток резко падает.

При U_эк=0 в коллекторной цепи в отрицательном направлении протекает ток ≈I_б.

Рассмотрим выходную характеристику при I_б=-I_ко, её можно снять, поставить закоротку между эмиттером и базой.

При этом эмиттерный переход зашунтирован и в коллекторной цепи протекает ток I_ко в базовой цепи.

Входные характеристики
транзистора с ОЭ.

При U_эк =0 входная характеристика является ВАХ двух параллельно включённых в прямом направлении p-n переходов (эмиттерный и коллекторный). Характеристика, определяемая коллекторным переходом (т.к. площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного). При U_эк =5 В, U_бк >0, коллекторный переход закрыт, поэтому входная характеристика является ВАХ одного эмиттерного перехода, смещённый вниз на величину I_ко (ток запретного коллекторного перехода), при этом характеристика идёт более полого.