Исследование входной характеристики транзистора

Вятский Государственный Гуманитарный Университет

Отчет по лабораторной работе № 3

«Биполярный транзистор»

Выполнил: студент физико-математического

факультета группы Ф-41(1) Ветлужских А.И.

Проверил: Мултановский В. В.

г. Киров

Цель работы: Ознакомиться с устройством и электрическими свойствами биполярных транзисторов, изучить методы определения их характеристик и параметров, ознакомиться с некоторыми электронными устройствами на основе биполярных транзисторов.

Порядок выполнения работы:

Исследование статических характеристик транзистора.

Исследование входной характеристики транзистора.

Приборы и оборудование:

Транзистор: П306

Источник постоянного тока: Б5-8

Миллиамперметр (стрелочный): Ц4360

Вольтметр (мультиметр):

Предельные эксплутационные данные транзистора:

Ток базы: I_б=200

Собрать цепь по схеме:

При Uк = 0 и при Uк = 5В снять зависимость тока базы (Iб) от напряжения база-эмиттер (Uбэ), изменяя напряжение база – эмиттер в допустимых пределах(0÷100мА). Результаты измерений занести в таблицы:

Рис. 1.

Таблица 1. Uк = 0 В
Uбэ, В	1,06	0,97	0,92	0,88	0,83	0,79	0,76	0,72	0,68	0,63	0,59
Iб, мА

0,58	0,57	0,55	0,52	0,5	0,49	0,48	0,47	0,44	0,44	0,43	0,41
				0,5	0,4	0,3	0,2	0,1	0,08	0,06	0,04

Таблица 2. Uк = 5 В
Uбэ, В	4,44	3,76	3,48	3,12	2,62	2,28	1,82	1,26	0,98	0,91	0,83
Iб, мА

0,76	0,67	0,63	0,6	0,59	0,58	0,54	0,54	0,53	0,51
		0,5	0,4	0,3	0,2	0,1	0,08	0,06	0,04

Рис.2.

По результатам измерений построить входную характеристику транзистора. В начальном участке характеристики определить входное сопротивление транзистора и дифференциальное входное сопротивление.

R_ст =U_бэ/I_б Ом; R_дин =ΔU_бэ/ΔI_б Ом (при U_k=0В); R_дин =ΔU_бэ/ΔI_б Ом (при U_k=5В).