Изоляция диэлектрическими пленками

На рис.2.7 показана последовательность операций изоляции элементов тонкими диэлектрическим пленками. На исходной пластине n-кремния выращивается эпитаксиальный n+-слой (рис.2.7,а). На поверхности пластины анизотропным травлением на глубину 20... 30 мкм создаются канавки треугольной (V – образной) формы (рис.2.7,б). Рельефная поверхность термически окисляется, так что получается изолирующая пленка SiO2 толщиной около 1 мкм. Диэлектрическая изоляция позволяет на несколько порядков снизить токи утечки и на порядок удельную емкость по сравнению с p–n–переходом. Существенным недостатком диэлектрической изоляции является необходимость точной шлифовки.