2015-05-26
731
2.1.Арсенид галлия. Нелегированный арсенид галлия имеет электронную электропроводность. При его легировании цинком образуется арсенид галлия с дырочной электропроводностью.
Арсенид галлия выпускают в виде монокристаллических слитков диаметром 12 мм, которые применяют для изготовления полупроводниковых приборов.
Арсенид галлия является основным материалом для производства лазеров, туннельных диодов, генераторов СВЧ колебаний, первичных преобразователей света, датчиков низких температур, некоторых интегральных микросхем и др.
2.2.Антимонид галлия. Монокристаллические слитки антимонида галлия получают из поликристаллического материала выращиванием из расплава.
Благодаря высокой чувствительности к деформациям антимонид галлия применяют для изготовления тензометров, при производстве туннельных диодов и микроволновых детекторов.
2.3.Фосфид галлия. Нелегированные кристаллы обладают дырочной электропроводностью. В качестве донорских примесей используют теллур и серу, акцепторных – цинк.
|
|
|
Поликристаллический фосфид галлия получают синтезом исходных веществ в двухзонной печи при температуре 1500 градусов. Эти слитки имеют электронную электропроводность. Из поликристаллического фосфида галлия получают монокристаллический фосфид галлия в виде пластин 5х5х1,5 мм электронной и дырочной электропроводности. Основная область применения: производство светодиодов и солнечных батарей. 2.4.Арсенид индия. Монокристаллические слитки арсенида индия применяют для изготовления датчиков Холла, фотодиодов, лазеров, а также приборов с гальваномагнитными эффектами.
2.5.Антимонид индия. Получают антимонид индия сплавлением в атмосфере водорода высокочистого индия и сурьмы. Затем выращивают монокристаллические слитки и пластины с электронной и дырочной электропроводностью. Для легирования используют теллур, цинк, германий. Антимонид индия применяют для изготовления датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов, фоторезисторов и др.
2.6.Фосфид индия применяют для изготовления лазеров.
