высшего профессионального образования. Министерство образования и науки Российской Федерации

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Отчёт по лабораторной работе №2

«Транзисторы».

17 вариант

Выполнил

Студент группы НГА31

Туманов Д.В.

Принял: Фугаров Д.Д.______________

Дата выполнения «__» __________2014 г.

Ростов-на-Дону

Цель работы:

1. Повторить пройденный материал по теме “Транзисторы”

2. Научиться рассчитывать параметры и определять характеристики полупроводниковых транзисторов.

Рисунок 1 – Функциональная схема включения транзистора с общим эмиттером

Рисунок 2 – Входная ВАХ Рисунок 3 – Выходная ВАХ

№ Варианта	Входное напряжение UБ-Э, В	Выходное напряжение UК-Э, В	Напряжение источника питания ЕК, В
	0,2

Ход работы:

Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером необходимо:

- используя входную и выходную вольтамперную характеристику определить ток базы I_Б и ток коллектора I_К;

- определить коэффициент усиления по току K_I;

- определить сопротивление нагрузки R_К;

- определить мощность на коллекторе P_К.

Обработка результатов

1. По графику входной вольтамперной характеристики транзистора (рисунок 2) находим ток базы I_Б=1 мА.

2. По графику выходной вольтамперной характеристики транзистора (рисунок 3) находим ток коллектора I_К=0,1 А.

3. Определяем коэффициент усиления по току:

K_I= I_К/ I_Б=100/1=100

4. Определяем сопротивление нагрузки:

R_К= Е_К/ I_К=40/0,1=400 Ом

5. Определяем мощность на коллекторе:

P_К= I_К²×R_К=0,1²×400=4 Вт.

Вывод: входе проделанных вычислений были выявлены параметры и характеристики полупроводникового транзистора включенного по схеме с общим эмиттером.