Параметры полевого транзистора

Полевые транзисторы, как и другие полупроводниковые приборы и электронные лампы, могут рассматриваться как четырехполюсники с двумя входными и двумя выходными клеммами. Связь между напряжениями и токами электродов полевых транзисторов принято выражать соотношениями, в которых токи электродов выступают как зависимые переменные, а напряжения электродов — независимые переменные. Эта связь выражается соотношениями:

Параметрами полевых транзисторов являются:

· входная проводимость Y₁₁ =d_i1/d_u1 при U₂ = const;

· обратная проводимость Y₁₂ = d_i1/d_u2 при U₁ = const;

· крутизна характеристики Y₂₁ = di₂/ d_u1 при U₂ = const;

· выходная проводимость Y₂₂ = di₂/d_u2 при U₁ = const.

Для переменных токов и напряжений параметры полевых транзисторов являются комплексными величинами и при включении транзисторов по схеме с общим истоком определяются из соотношений:

· Ŷ_11u = İ₃ / Ů_3U, при U _CU = соnst,

· Ŷ_12u = İ₃ / Ů_3U, при U _3U = соnst,

· Ŷ_21u = İ_C / Ů_3U, при U _CU = соnst,

· Ŷ_21u = İ_C / Ů_CU, при U _3U = соnst.

В диапазоне низких частот учитываются лишь активные составляющие проводимостей: g_11U, g_12U, g_21U, g_22U.Часто вместо входной и выходной проводимостей полевых транзисторов используют соответственно входное ивыходное дифференциальные сопротивления:

· R_{ВХ U} = 1/ g_11U = du_3U / di₃, при U _CU = const;

· R_{ВЫХ U} = R_IC = 1 / g_22U = du СИ / di _C.НАС U _3U = const;

При определении параметров полевых транзисторов обычно ограничиваются оценкой крутизны характеристики и выходного сопротивления.

Параметры полевых транзисторов, применяемые для расчетов каскадов в диапазоне низких частот, могут быть определены по их характеристикам. Параметры транзисторов на высоких частотах измеряют с помощью испытателей транзисторов.

Полевые транзисторы имеют ряд преимуществ по сравнению с транзисторами других типов: высокое входное сопротивление (от 10⁶ до 10⁹ Ом для транзисторов с управляющим переходом, от 10⁹ до 10¹⁵ Ом для транзисторов с изолированным затвором); малый уровень шумов, устойчивость против температурных и радиационных воздействий; выходные характеристики пентодного типа.