Порядок выполнения работы. 1. Включить ПК, Подать напряжение на измерительный блок с помощью тумблера (загорится сигнальная лампа «сеть»)

1. Включить ПК, подать напряжение на измерительный блок с помощью тумблера (загорится сигнальная лампа «Сеть»). Прибор должен быть включен до запуска программы. Запустить программу «Биполярные структуры».

2. Замерить начальную температуру транзисторных структур.

3. Снять ВАХ указанных преподавателем диодных структур транзисторов.

При этом необходимо задать максимальные значения обратного и прямого напряжений для управляемого источника напряжения (УИН) и предельные значения измеряемого обратного и прямого токов.

Максимальный предел изменения прямого тока – 50 мА, которое достигается при прямом смещении кремниевых структур на 0,7 – 1 В и 0,4 – 0,7 В для германиевых.

Обратный ток для кремниевых переходов составляет десятые – сотые доли микроампер, а у германиевых - единицы - сотни микроампер. На ВАХ диодов должно наблюдаться явление электрического пробоя.

4. Снять отдельно прямую и обратную ветви ВАХ диодов в более крупном масштабе и определить напряжение отпирания и напряжение электрического пробоя приборов.

5. Снять входные ВАХ исследуемых транзисторов при трех различных значениях напряжения коллектор – эмиттер U _КЭ.

В данной лабораторной работе реализована возможность регистрации входных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером. При этом снимается зависимость напряжения база – эмиттер U_БЭ от тока базы I_Б при постоянном напряжении коллектор-эмиттер U_КЭ.

С помощью управляемого источника тока (УИТ) изменяется ток базы транзистора всегда в диапазоне от нуля до 1 мА, а U_БЭ измеряется электронным вольтметром. Можно снять семейство входных характеристик при различных значениях напряжения U_КЭ (от нуля до 5В), задаваемых при помощи УИН.

6. Снять выходные ВАХ исследуемых транзисторов при трех различных значениях тока базы I _Б.

В данной лабораторной работе реализована возможность регистрации выходных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером. При этом снимается зависимость тока коллектора I _К от напряжения коллектор – эмиттер U_{К Э} при постоянном токе базы I _Б.

С помощью УИН изменяется U_КЭ транзистора в диапазоне от нуля до заданного предельного значения, при этом измеряется I _К. Можно снять семейство выходных характеристик при различных значениях I _Б (от нуля до 1 мА), задаваемых УИТ. Выбор необходимых значений I _Б осуществляется путем перемещения движка регулятора тока базы. Правильно выбирайте предел измерения по току коллектора. При смене значения I _Б, как правило, необходимо нажать кнопку “Авто”.

7. Повторить работу по пунктам 3-6 при заданных преподавателем температурах.