
| а) | б) |
| Дрейфовый (а) и диффузионный (б) токи в полупроводнике. | |
| Подвижность носителей заряда |
.
Плотность тока в полупроводнике, обусловленного дрейфом свободных электронов под действием внешнего электрического поля со средней скоростью
, определяется выражением

Перемещение (дрейф) дырок в валентной зоне со средней скоростью
создает в полупроводнике дырочный ток, плотность которого

Следовательно, полная плотность тока в полупроводнике содержит электронную jn и дырочную jр составляющие и равна их сумме (n и p — концентрации соответственно электронов и дырок).

Закон Ома j =sЕ, сл-но удельная электропроводность полупроводника определяется соотношением
.
У полупроводника с собственной электропроводностью ni = pi, и его удельная электропроводность

В полупроводнике n-типа
>
, и его удельная электропроводность с достаточной степенью точности может быть определена выражением
.
В полупроводнике р-типа
>
, и удельная электропроводность такого полупроводника







